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NSBC124EPDXV6T1G详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式; 描述：TRANS BR NPN/PNP DUAL 50V SOT563; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）; 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：50V; 电阻器_基极333R1444（欧）：22k; 电阻器_发射极333R2444（欧）：22k; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：60 @ 5mA，10V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA; 电流_集电极截止（最大）：500nA; 频率_转换：-; 功率_最大：500mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：SOT-563，SOT-666; 供应商设备封装：SOT-563; 包装：Digi-Reel®

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NSBC124EPDXV6T1G详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式; 描述：TRANS BR NPN/PNP DUAL 50V SOT563; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）; 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：50V; 电阻器_基极333R1444（欧）：22k; 电阻器_发射极333R2444（欧）：22k; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：60 @ 5mA，10V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA; 电流_集电极截止（最大）：500nA; 频率_转换：-; 功率_最大：500mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：SOT-563，SOT-666; 供应商设备封装：SOT-563; 包装：剪切带 (CT)

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NSBC124EPDXV6T1G 北京元坤国际科技有限公司 010-62104931、
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NSBC123JF3T5G
晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 ON Semiconductor SOT-1123 TRANS NPN W/RES 50V SOT1123
NOJD477M002RWJ
氧化铌 AVX Corporation 2917（7343 公制） CAP NIOB OXIDE 470UF 2.5V 2917
MGA-665P8-BLK
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MIC2185YQS
PMIC - 稳压器 - DC DC 切换控制器 Micrel Inc 16-SSOP（0.154"，3.90mm 宽） IC REG CTRLR BST PWM CM 16-QSOP
NP50P04SDG-E1-AY
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HMK432B7225KM-T
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NOJF157M006RWJ
氧化铌 AVX Corporation 2312（6032 公制） CAP NIOB OXIDE 150UF 6.3V 2312
MGA-68563-TR1G
RF 放大器 Avago Technologies US Inc. 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 IC AMP LNA MMIC GAAS SMD SOT-363
NP52N06SLG-E1-AY
FET - 单 Renesas Electronics America TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET N-CH 60V 52A TO252
MIC2198YML TR
PMIC - 稳压器 - DC DC 切换控制器 Micrel Inc 12-VFDFN 裸焊盘，12-MLF? IC REG CTRLR BUCK PWM CM 12-MLF
HMK432B7225KM-T
陶瓷 Taiyo Yuden 1812（4532 公制） CAP CER 2.2UF 100V 10% X7R 1812
NOJC107M002SWJ
氧化铌 AVX Corporation 2312（6032 公制） CAP NIOB OXIDE 100UF 2.5V 2312

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