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» 型号"NOJB226M010RWB"的供应信息
NOJB226M010RWB 全国供应商、价格、PDF资料
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NOJB226M010RWB详细规格
类别:氧化铌
描述:CAP NIOB OXIDE 22UF 10V 1210
系列:OxiCap® NOJ
制造商:AVX Corporation
电容:22µF
电压_额定:10V
容差:±20%
ESR(等效串联电阻):700 毫欧
电流_泄漏电流:4.4µA
耗散因数:6%
安装类型:表面贴装
封装/外壳:1210(3528 公制)
制造商尺寸代码:B
高度_座高(最大):0.083"(2.10mm)
特点:-
工作温度:-55°C ~ 105°C
包装:带卷 (TR)
NOJB226M010RWB供应商
NOJB226M010RWB
深圳市杰兴微电子有限公司
0755-23995152
NOJB226M010RWB
深圳市诺洋电子科技有限公司
0755-83223003
NOJB226M010RWB
深圳市正信鑫科技有限公司
0755-22655674
NOJB226M010RWB
北京元坤国际科技有限公司
010-62962871、
NOJB226M010RWB
北京显周科技有限公司
13910052844(微
NOJB226M010RWB
北京首天伟业科技有限公司
010-62962871、
NOJB226M010RWB
北京显周科技有限公司
13910052844(微
查看更多NOJB226M010RWB的供应商
NP36P04SDG-E1-AY
FET - 单 Renesas Electronics America TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET P-CH -40V -36A TO-252
HMK432B7105KM-T
陶瓷 Taiyo Yuden 1812(4532 公制) CAP CER 1UF 100V 10% X7R 1812
NOJB226M006RWJ
氧化铌 AVX Corporation 1210(3528 公制) CAP NIOB OXIDE 22UF 6.3V 1210
MGA-64606-TR1G
RF 放大器 Avago Technologies US Inc. 6-UFDFN 裸露焊盘 IC RF AMP LNA GAAS MMIC 6-UTP
P1168.682NLT
固定式 Pulse Electronics Corporation 非标准 INDUCTOR PWR SHIELD 6.8UH SMD
NOJD337M004RWJ
氧化铌 AVX Corporation 2917(7343 公制) CAP NIOB OXIDE 330UF 4V 2917
NSBC123EPDXV6T1G
晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 ON Semiconductor SOT-563,SOT-666 TRANS BR NPN/PNP DUAL 50V SOT563
NP3-MQ000B
配件 Omron Electronics Inc-IA Div TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 NP HMI 3.8 IN MONO 3KEYS BLACK
MIC2185BQS
PMIC - 稳压器 - DC DC 切换控制器 Micrel Inc 16-SSOP(0.154",3.90mm 宽) IC REG CTRLR BST PWM CM 16-QSOP
P1168.683NLT
固定式 Pulse Electronics Corporation 非标准 INDUCTOR PWR SHIELD 68UH SMD
NSBC123JF3T5G
晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 ON Semiconductor SOT-1123 TRANS NPN W/RES 50V SOT1123
NOJD477M002RWJ
氧化铌 AVX Corporation 2917(7343 公制) CAP NIOB OXIDE 470UF 2.5V 2917
MGA-665P8-BLK
RF 放大器 Avago Technologies US Inc. 8-WFDFN 裸露焊盘 IC AMP MMIC LNA GAAS 3V 8-LPCC
MIC2185YQS
PMIC - 稳压器 - DC DC 切换控制器 Micrel Inc 16-SSOP(0.154",3.90mm 宽) IC REG CTRLR BST PWM CM 16-QSOP
NP50P04SDG-E1-AY
FET - 单 Renesas Electronics America TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET P-CH -40V -50A TO-252
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