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NOJA226M004RWJ详细规格: 类别：氧化铌; 描述：CAP NIOB OXIDE 22UF 4V 1206; 系列：OxiCap® NOJ; 制造商：AVX Corporation; 电容：22µF; 电压_额定：4V; 容差：±20%; ESR（等效串联电阻）：1.9 欧姆; 电流_泄漏电流：1.8µA; 耗散因数：6%; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：1206（3216 公制）; 制造商尺寸代码：A; 高度_座高（最大）：0.071"（1.80mm）; 特点：-; 工作温度：-55°C ~ 105°C; 包装：剪切带 (CT)

NOJA226M004RWJ详细规格: 类别：氧化铌; 描述：CAP NIOB OXIDE 22UF 4V 1206; 系列：OxiCap® NOJ; 制造商：AVX Corporation; 电容：22µF; 电压_额定：4V; 容差：±20%; ESR（等效串联电阻）：1.9 欧姆; 电流_泄漏电流：1.8µA; 耗散因数：6%; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：1206（3216 公制）; 制造商尺寸代码：A; 高度_座高（最大）：0.071"（1.80mm）; 特点：-; 工作温度：-55°C ~ 105°C; 包装：Digi-Reel®

NOJA226M004RWJ详细规格: 类别：氧化铌; 描述：CAP NIOB OXIDE 22UF 4V 1206; 系列：OxiCap® NOJ; 制造商：AVX Corporation; 电容：22µF; 电压_额定：4V; 容差：±20%; ESR（等效串联电阻）：1.9 欧姆; 电流_泄漏电流：1.8µA; 耗散因数：6%; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：1206（3216 公制）; 制造商尺寸代码：A; 高度_座高（最大）：0.071"（1.80mm）; 特点：-; 工作温度：-55°C ~ 105°C; 包装：带卷 (TR)

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NOJA226M004RWJ 深圳市灿亿佳电子科技有限公司 13424184668
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MGA-43228-BLKG
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NOJA156M006RWJ
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NSBC113EDXV6T1
晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 ON Semiconductor SOT-563，SOT-666 TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT563
HMK316B7224ML-T
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HMK316B7474KL-T
陶瓷 Taiyo Yuden 1206（3216 公制） CAP CER 0.47UF 100V 10% X7R 1206
NSBC114EDXV6T1
晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 ON Semiconductor SOT-563，SOT-666 TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT563
P1168.102NLT
固定式 Pulse Electronics Corporation 非标准 INDUCTOR PWR SHIELD 1.0UH SMD
NOJC336M010RWJ
氧化铌 AVX Corporation 2312（6032 公制） CAP NIOB OXIDE 33UF 10V 2312
MIC2182BSM
PMIC - 稳压器 - DC DC 切换控制器 Micrel Inc 16-SSOP（0.209"，5.30mm 宽） IC REG CTRLR BUCK PWM CM 16-SSOP
NP100P06PLG-E1-AY
FET - 单 Renesas Electronics America TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET P-CH -60V MP-25ZP/TO-263

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