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NP100P04PDG-E1-AY详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH -40V MP-25ZP/TO-263; 系列：-; 制造商：Renesas Electronics America; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：40V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：100A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.5 毫欧 @ 50A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 1mA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：320nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：15100pF @ 10V; 功率_最大：1.8W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：TO-263; 包装：带卷 (TR)

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HMK316B7224ML-T
陶瓷 Taiyo Yuden 1206（3216 公制） CAP CER 0.22UF 100V 20% X7R 1206
MIC2182-5.0YSM TR
PMIC - 稳压器 - DC DC 切换控制器 Micrel Inc 16-SSOP（0.209"，5.30mm 宽） IC REG CTRLR BUCK PWM CM 16-SSOP
MGA-53589-BLKG
RF 放大器 Avago Technologies US Inc. TO-243AA IC RF AMP GAAS MMIC 3GHZ SOT-89
NOJA226M004RWJ
氧化铌 AVX Corporation 1206（3216 公制） CAP NIOB OXIDE 22UF 4V 1206
HMK316B7474KL-T
陶瓷 Taiyo Yuden 1206（3216 公制） CAP CER 0.47UF 100V 10% X7R 1206
NSBC114EDXV6T1
晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 ON Semiconductor SOT-563，SOT-666 TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT563
P1168.102NLT
固定式 Pulse Electronics Corporation 非标准 INDUCTOR PWR SHIELD 1.0UH SMD

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