NDF08N50ZH 全国供应商、价格、PDF资料
NDF08N50ZH详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N CH 500V 8.5A TO220FP
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:*
- 漏极至源极电压333Vdss444:500V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:8.5A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:850 毫欧 @ 3.6A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4.5V @ 100µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:46nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:*
- 功率_最大:35W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-3 整包
- 供应商设备封装:TO-220FP
- 包装:管件
- FET - 单 Fairchild Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-SOIC
- 存储器 Micron Technology Inc 54-TSOP(0.400",10.16mm 宽) IC SDRAM 256MBIT 133MHZ 54TSOP
- 固定式 TDK Corporation 1812(4532 公制) INDUCTOR 150UH 10% 453232
- 接线座 - 隔板块 On Shore Technology Inc CONN BARRIER STRIP 3CIRC 11MM
- 背板 - 硬公制,标准 FCI CONN HEADER 125POS TYPE B VERT
- 通孔电阻器 Yageo 轴向 RES 10.0KOHM 1/4W 1% METLFLM T/R
- 存储器 Micron Technology Inc 54-TSOP(0.400",10.16mm 宽) IC SDRAM 256MBIT 167MHZ 54TSOP
- 固定式 TDK Corporation 1812(4532 公制) INDUCTOR SHIELD 3.9UH 5% 1812
- 接线座 - 隔板块 On Shore Technology Inc CONN BARRIER STRIP 5CIRC 11MM
- 背板 - 硬公制,标准 FCI CONN HEADER 125POS TYPE B VERT
- FET - 阵列 Fairchild Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET 2P-CH 60V 2.3A 8-SOIC
- 存储器 Micron Technology Inc 54-TSOP(0.400",10.16mm 宽) IC SDRAM 256MBIT 133MHZ 54TSOP
- 固定式 TDK Corporation 1812(4532 公制) INDUCTOR SHIELD 3.9UH 5% 1812
- 通孔电阻器 Yageo 轴向 RES 11.3KOHM 1/4W 1% METLFLM T/R
- FET - 阵列 Fairchild Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 8-SOIC