NDS9953A详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 8-SOIC
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:2 个 P 沟道(双)
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:2.9A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:130 毫欧 @ 1A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.8V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:25nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:350pF @ 10V
- 功率_最大:900mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:Digi-Reel®
NDS9953A详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 8-SOIC
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:2 个 P 沟道(双)
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:2.9A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:130 毫欧 @ 1A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.8V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:25nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:350pF @ 10V
- 功率_最大:900mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:剪切带 (CT)
NDS9953A详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 8-SOIC
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:2 个 P 沟道(双)
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:2.9A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:130 毫欧 @ 1A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.8V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:25nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:350pF @ 10V
- 功率_最大:900mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:带卷 (TR)
- 存储器 Micron Technology Inc 54-TSOP(0.400",10.16mm 宽) IC SDRAM 256MBIT 167MHZ 54TSOP
- 固定式 TDK Corporation 1812(4532 公制) INDUCTOR SHIELD 3.9UH 5% 1812
- 接线座 - 隔板块 On Shore Technology Inc CONN BARRIER STRIP 5CIRC 11MM
- 固定式 TDK Corporation 1812(4532 公制) INDUCTOR WW PWR 150UH 140MA 10%
- FET - 单 ON Semiconductor TO-220-3 整包 MOSFET N CH 500V 8.5A TO220FP
- 背板 - 硬公制,标准 FCI CONN HEADER 125POS TYPE B VERT
- FET - 阵列 Fairchild Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET 2P-CH 60V 2.3A 8-SOIC
- 存储器 Micron Technology Inc 54-TSOP(0.400",10.16mm 宽) IC SDRAM 256MBIT 133MHZ 54TSOP
- 固定式 TDK Corporation 1812(4532 公制) INDUCTOR SHIELD 3.9UH 5% 1812
- 固定式 TDK Corporation 1812(4532 公制) INDUCTOR WW PWR 18UH 400MA 10%
- 接线座 - 隔板块 On Shore Technology Inc CONN BARRIER STRIP 15CIRC 11MM
- 背板 - 硬公制,标准 FCI CONN HEADER 125POS TYPE B VERT
- FET - 单 ON Semiconductor TO-220-3 整包 MOSFET N CH 500V 12A TO220FP
- 固定式 TDK Corporation 1812(4532 公制) INDUCTOR SHIELD 470UH 5% 1812
- 存储器 Micron Technology Inc 60-FBGA IC SDRAM 128MBIT 133MHZ 60FBGA