当前位置:网站首页 » 库存索引1263 » 型号"NDS9953A"的供应信息

NDS9953A 全国供应商、价格、PDF资料

型号:厂商:批号:封装:
按地区:全部 | 广东 | 深圳 | 汕头 | 上海 | 北京 | 浙江 | 陕西 | 山东 | 江苏 | 深圳外

NDS9953A详细规格

类别:FET - 阵列
描述:MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 8-SOIC
系列:-
制造商:Fairchild Semiconductor
FET型:2 个 P 沟道(双)
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:30V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:2.9A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:130 毫欧 @ 1A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):2.8V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:25nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:350pF @ 10V
功率_最大:900mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装:8-SOIC N
包装:Digi-Reel®

NDS9953A详细规格

类别:FET - 阵列
描述:MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 8-SOIC
系列:-
制造商:Fairchild Semiconductor
FET型:2 个 P 沟道(双)
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:30V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:2.9A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:130 毫欧 @ 1A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):2.8V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:25nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:350pF @ 10V
功率_最大:900mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装:8-SOIC N
包装:剪切带 (CT)

NDS9953A详细规格

类别:FET - 阵列
描述:MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 8-SOIC
系列:-
制造商:Fairchild Semiconductor
FET型:2 个 P 沟道(双)
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:30V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:2.9A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:130 毫欧 @ 1A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):2.8V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:25nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:350pF @ 10V
功率_最大:900mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装:8-SOIC N
包装:带卷 (TR)

NDS9953A供应商

查看更多NDS9953A的供应商