MUN5231DW1T1G 全国供应商、价格、PDF资料
MUN5231DW1T1G详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
- 描述:TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT-363
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双)
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):50V
- 电阻器_基极333R1444(欧):2.2k
- 电阻器_发射极333R2444(欧):2.2k
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:8 @ 5mA,10V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):250mV @ 5mA,10mA
- 电流_集电极截止(最大):500nA
- 频率_转换:-
- 功率_最大:250mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 供应商设备封装:SOT-363
- 包装:带卷 (TR)
- 存储器 - 模块 Micron Technology Inc 184-DIMM MODULE DDR SDRAM 1GB 184-DIMM
- 芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 0402(1005 公制) RES 13.0K OHM 1/16W 1% 0402 SMD
- 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 ON Semiconductor 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT-363
- 芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 0805(2012 公制) RES .39 OHM 1/4W 1% 0805 SMD
- 热缩管 TE Connectivity - HEAT SHRINK TUBING
- RF 接收器、发射器及收发器的成品装置 Multi-Tech Systems 模块 ROUTER WIRELESS EV-DO DUAL
- 芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 1206(3216 公制) RES 510 OHM 1/4W 5% 1206 SMD
- 存储器 Macronix 48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) IC FLASH MEM 8MB 90NS 48TSOP
- 芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 0402(1005 公制) RES 150 OHM 1/16W 1% 0402 SMD
- 芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 0805(2012 公制) RES .47 OHM 1/4W 1% 0805 SMD
- RF 接收器、发射器及收发器的成品装置 Multi-Tech Systems 模块 MODEM GPRS QUAD GLOBAL
- 热缩管 TE Connectivity - HEAT SHRINK TUBING
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div 48-TFBGA,CSPBGA MX2 230V 3PH 1HP VALUE PACK
- 芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 1206(3216 公制) RES 51K OHM 1/4W 5% 1206 SMD
- 芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 0402(1005 公制) RES 1.50K OHM 1/16W 1% 0402 SMD