MUBW35-12A7详细规格
- 类别:IGBT
- 描述:MODULE IGBT CBI E2
- 系列:-
- 制造商:IXYS
- IGBT类型:NPT
- 配置:三相反相器,带制动器
- 电压_集电极发射极击穿(最大):1200V
- VgewwwwIc时的最大Vce(开):3.1V @ 15V,35A
- 电流_集电极333Ic444(最大):50A
- 电流_集电极截止(最大):1.1mA
- Vce时的输入电容333Cies444:1.65nF @ 25V
- 功率_最大:225W
- 输入:三相桥式整流器
- NTC热敏电阻:是
- 安装类型:底座安装
- 封装/外壳:E2
- 供应商设备封装:E2
MUBW35-12A8详细规格
- 类别:IGBT
- 描述:MODULE IGBT CBI E3
- 系列:-
- 制造商:IXYS
- IGBT类型:NPT
- 配置:三相反相器,带制动器
- 电压_集电极发射极击穿(最大):1200V
- VgewwwwIc时的最大Vce(开):3.1V @ 15V,35A
- 电流_集电极333Ic444(最大):50A
- 电流_集电极截止(最大):1.1mA
- Vce时的输入电容333Cies444:1.65nF @ 25V
- 功率_最大:225W
- 输入:三相桥式整流器
- NTC热敏电阻:是
- 安装类型:底座安装
- 封装/外壳:E3
- 供应商设备封装:E3
MUBW35-12E7详细规格
- 类别:IGBT
- 描述:MODULE IGBT CBI E2
- 系列:-
- 制造商:IXYS
- IGBT类型:NPT
- 配置:三相反相器,带制动器
- 电压_集电极发射极击穿(最大):1200V
- VgewwwwIc时的最大Vce(开):2.8V @ 15V,35A
- 电流_集电极333Ic444(最大):52A
- 电流_集电极截止(最大):400µA
- Vce时的输入电容333Cies444:2nF @ 25V
- 功率_最大:225W
- 输入:三相桥式整流器
- NTC热敏电阻:是
- 安装类型:底座安装
- 封装/外壳:E2
- 供应商设备封装:E2
- 芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 0805(2012 公制) RES 24.3K OHM 1/8W 1% 0805 SMD
- IGBT IXYS E2 MODULE IGBT CBI E2
- 存储器 Micron Technology Inc 48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) IC FLASH 4GBIT 48TSOP
- 芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 0603(1608 公制) RES 80.6K OHM 1/10W 1% 0603 SMD
- 存储器 Micron Technology Inc 78-TFBGA IC DDR3 SDRAM 2GBIT 78FBGA
- 芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 1210(3225 公制) RES 1.21K OHM 1/4W 1% 1210 SMD
- 连接器,互连器件 TE Connectivity CONN PLUG 19POS CABLE PIN
- 芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 0805(2012 公制) RES 249 OHM 1/8W 1% 0805 SMD
- 光学 - 光电检测器 - 光电二极管 Opto Diode Corp TO-233AA,TO-8-3 金属罐 PHOTODIODE LOCAP 12MM 632NM TO-8
- 芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 0603(1608 公制) RES 80.6K OHM 1/10W 1% 0603 SMD
- 存储器 Micron Technology Inc 78-TFBGA IC DDR3 SDRAM 4GBIT 92FBGA
- 芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 1210(3225 公制) RES 12.1K OHM 1/4W 1% 1210 SMD
- 连接器,互连器件 TE Connectivity CONN PLUG 19POS CABLE PIN
- 光学 - 光电检测器 - 光电二极管 Opto Diode Corp TO-205AA,TO-5-3 金属罐 PHOTODIODE 15MM 632NM TO-5
- 芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 0805(2012 公制) RES 24.0 OHM 1/8W 1% 0805 SMD