MUBW15-12T7 全国供应商、价格、PDF资料
MUBW15-12T7详细规格
- 类别：IGBT
- 描述：MODULE IGBT CBI E2
- 系列：-
- 制造商：IXYS
- IGBT类型：沟道
- 配置：三相反相器，带制动器
- 电压_集电极发射极击穿（最大）：1200V
- VgewwwwIc时的最大Vce（开）：2.15V @ 15V，15A
- 电流_集电极333Ic444（最大）：30A
- 电流_集电极截止（最大）：2.7mA
- Vce时的输入电容333Cies444：1.1nF @ 25V
- 功率_最大：140W
- 输入：三相桥式整流器
- NTC热敏电阻：是
- 安装类型：底座安装
- 封装/外壳：E2
- 供应商设备封装：E2
- 芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 0805（2012 公制） RES 243 OHM 1/8W 1% 0805 SMD
- I/O 继电器模块 - 输出 Crouzet C/O BEI Systems and Sensor Company TO-205AD，TO-39-3 金属罐 OUTPUT MODULE DC STD 18MA 5VDC
- IGBT IXYS E1 MODULE IGBT CBI E1
- 存储器 Micron Technology Inc 48-TSOP IC FLASH 4GBIT 48TSOP
- 存储器 Micron Technology Inc 78-TFBGA IC DDR3L SDRAM 4GBIT 78FBGA
- 芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 0603（1608 公制） RES 8.06K OHM 1/10W 1% 0603 SMD
- 连接器，互连器件 TE Connectivity CONN PLUG 19POS CABLE PIN
- 芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 1210（3225 公制） RES 11.3 OHM 1/4W 1% 1210 SMD
- I/O 继电器模块 - 输出 Crouzet C/O BEI Systems and Sensor Company TO-205AD，TO-39-3 金属罐 OUTPUT MODULE DC STD 18MA 5VDC
- 存储器 Micron Technology Inc 48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） IC FLASH 4GBIT 48TSOP
- 芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 0603（1608 公制） RES 80.6K OHM 1/10W 1% 0603 SMD
- 存储器 Micron Technology Inc 78-TFBGA IC DDR3 SDRAM 2GBIT 78FBGA
- 芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 1210（3225 公制） RES 1.21K OHM 1/4W 1% 1210 SMD
- 连接器，互连器件 TE Connectivity CONN PLUG 19POS CABLE PIN
- 芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 0805（2012 公制） RES 249 OHM 1/8W 1% 0805 SMD
18913062888 
021-51097965 
0755-83268779 
0755-23915992 
0755-23140719 
171-4729-0036 
15026993318 / 
0755-82170267 
010-62962871、 
0755-23915992 
0512-82613006 
010-62962871、 
0755-83264115 
0755-8322-538 
