MUBW15-12A6 全国供应商、价格、PDF资料
MUBW15-12A6详细规格
- 类别:IGBT
- 描述:MODULE IGBT CBI E1
- 系列:-
- 制造商:IXYS
- IGBT类型:NPT
- 配置:三相反相器,带制动器
- 电压_集电极发射极击穿(最大):1200V
- VgewwwwIc时的最大Vce(开):2.9V @ 15V,10A
- 电流_集电极333Ic444(最大):18A
- 电流_集电极截止(最大):500µA
- Vce时的输入电容333Cies444:850nF @ 25V
- 功率_最大:70W
- 输入:三相桥式整流器
- NTC热敏电阻:是
- 安装类型:底座安装
- 封装/外壳:E1
- 供应商设备封装:E1
MUBW15-12A6K详细规格
- 类别:IGBT
- 描述:MODULE IGBT CBI E1
- 系列:-
- 制造商:IXYS
- IGBT类型:NPT
- 配置:三相反相器,带制动器
- 电压_集电极发射极击穿(最大):1200V
- VgewwwwIc时的最大Vce(开):3.4V @ 15V,15A
- 电流_集电极333Ic444(最大):19A
- 电流_集电极截止(最大):600µA
- Vce时的输入电容333Cies444:0.6nF @ 25V
- 功率_最大:90W
- 输入:三相桥式整流器
- NTC热敏电阻:是
- 安装类型:底座安装
- 封装/外壳:E1
- 供应商设备封装:E1
- TVS - 二极管 Littelfuse Inc DO-214AB,SMC DIODE TVS 28V 1500W BIDIR SMC
- TVS - 二极管 STMicroelectronics DO-214AB,SMC TRANSIL 28V UNIDIR DO-214AB
- 陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 27PF 50V 1% RADIAL
- IGBT IXYS E1 MODULE IGBT CBI E1
- FET - 单 Vishay Siliconix TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 150V 40A D2PAK
- PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 Microchip Technology 8-DIP(0.300",7.62mm) IC MOSFET DRIVER 6A INV 8DIP
- TVS - 二极管 Vishay Semiconductor Diodes Division DO-214AB,SMC TVS 1500W 28V BI-DIR SMC
- 陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 27PF 50V 10% RADIAL
- TVS - 二极管 STMicroelectronics DO-214AB,SMC TRANSIL 30V UNIDIR DO-214AB
- LED - 高亮度,电源 Cree Inc 2-SMD,无引线 LED XLAMP MTG EASYWHITE SMD
- PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 Microchip Technology 8-DIP(0.300",7.62mm) IC MOSFET DRIVER 30V 1.5A 8-DIP
- TVS - 二极管 Vishay Semiconductor Diodes Division DO-214AB,SMC TVS 1.5KW UNIDIR 28V 10% SMC
- 陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 270PF 50V 5% RADIAL
- IGBT IXYS E2 MODULE IGBT CBI E2
- FET - 单 Vishay Siliconix TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET P-CH 60V 55A D2PAK