LF411CN详细规格
- 类别:Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps
- 描述:IC OP AMP LOW JFET INPUT 8-DIP
- 系列:*
- 制造商:Texas Instruments
- 放大器类型:
- 电路数:
- 输出类型:
- 压摆率:
- 增益带宽积:
- _3db带宽:
- 电流_输入偏置:
- 电压_输入失调:
- 电流_电源:
- 电流_输出/通道:
- 电压_电源qqq单/双333ttt444:
- 工作温度:
- 安装类型:
- 封装/外壳:
- 供应商器件封装:
- 包装:
LF411CN/NOPB详细规格
- 类别:Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps
- 描述:IC OP AMP LOW JFET INPUT 8-DIP
- 系列:BI-FET II™
- 制造商:Texas Instruments
- 放大器类型:J-FET
- 电路数:1
- 输出类型:-
- 压摆率:15 V/µs
- 增益带宽积:4MHz
- _3db带宽:-
- 电流_输入偏置:50pA
- 电压_输入失调:800µV
- 电流_电源:1.8mA
- 电流_输出/通道:-
- 电压_电源qqq单/双333ttt444:10 V ~ 36 V,±5 V ~ 18 V
- 工作温度:0°C ~ 70°C
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:8-DIP(0.300",7.62mm)
- 供应商器件封装:8-MDIP
- 包装:管件
- 存储器 IDT, Integrated Device Technology Inc 80-LQFP IC SRAM 256KBIT 35NS 80TQFP
- 固定式 Vishay Dale 非标准 INDUCTOR POWER 4.7UH 0.90A SMD
- 时钟/计时 - 时钟缓冲器,驱动器 IDT, Integrated Device Technology Inc 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC CLK BUFFER 1:2 200MHZ 8-SOIC
- 存储器 IDT, Integrated Device Technology Inc 208-LFBGA IC SRAM 9MBIT 12NS 208FBGA
- 逻辑 - FIFO IDT, Integrated Device Technology Inc 64-LQFP IC FIFO SYNC 512X18 10NS 64STQFP
- 逻辑 - FIFO IDT, Integrated Device Technology Inc 68-LCC(J 形引线) IC FIFO 1024X18 SYNC 25NS 68PLCC
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0805(2012 公制) CAP CER 10UF 16V 20% X5R 0805
- 存储器 IDT, Integrated Device Technology Inc 80-LQFP IC SRAM 256KBIT 55NS 80TQFP
- 固定式 Vishay Dale 非标准 INDUCTOR POWER 4.7UH 1.2A SMD
- 存储器 IDT, Integrated Device Technology Inc 208-LFBGA IC SRAM 9MBIT 10NS 208FBGA
- 逻辑 - FIFO IDT, Integrated Device Technology Inc 64-LQFP IC FIFO SYNC 512X18 15NS 64-TQFP
- 逻辑 - FIFO IDT, Integrated Device Technology Inc 64-LQFP IC FIFO 8KX18 LP 20NS 64QFP
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0805(2012 公制) CAP CER 2.2UF 16V 10% X5R 0805
- 时钟/计时 - 时钟缓冲器,驱动器 IDT, Integrated Device Technology Inc 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC CLK BUFFER 1:4 200MHZ 8-SOIC
- 固定式 Vishay Dale 非标准 INDUCTOR POWER .47UH 3.7A SMD