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IDT70T651S10BF8详细规格: 类别：存储器; 描述：IC SRAM 9MBIT 10NS 208FBGA; 系列：-; 制造商：IDT, Integrated Device Technology Inc; 格式_存储器：RAM; 存储器类型：SRAM - 双端口，异步; 存储容量：9M（256K x 36）; 速度：10ns; 接口：并联; 电压_电源：2.4 V ~ 2.6 V; 工作温度：0°C ~ 70°C; 封装/外壳：208-LFBGA; 供应商器件封装：208-CABGA（15x15）; 包装：带卷 (TR)

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IDT72255LA20PFI
逻辑 - FIFO IDT, Integrated Device Technology Inc 64-LQFP IC FIFO 8KX18 LP 20NS 64QFP
GRM21BR61C225KA88K
陶瓷 Murata Electronics North America 0805（2012 公制） CAP CER 2.2UF 16V 10% X5R 0805
ICS8304AMLFT
时钟/计时 - 时钟缓冲器，驱动器 IDT, Integrated Device Technology Inc 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC CLK BUFFER 1:4 200MHZ 8-SOIC
IFSC1008ABERR47M01
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IDT7007S55JI
存储器 IDT, Integrated Device Technology Inc 68-LCC（J 形引线） IC SRAM 256KBIT 55NS 68PLCC

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