IRF9610详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET P-CH 200V 1.8A TO-220AB
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：200V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.8A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3 欧姆 @ 900mA，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：11nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：170pF @ 25V
- 功率_最大：20W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-220-3
- 供应商设备封装：TO-220AB
- 包装：管件
IRF9610L详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET P-CH 200V 1.8A TO-262
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：200V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.8A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3 欧姆 @ 900mA，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：11nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：170pF @ 25V
- 功率_最大：3W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
- 供应商设备封装：I2PAK
- 包装：管件
IRF9610PBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET P-CH 200V 1.8A TO-220AB
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：200V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.8A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3 欧姆 @ 900mA，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：11nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：170pF @ 25V
- 功率_最大：20W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-220-3
- 供应商设备封装：TO-220AB
- 包装：管件
IRF9610S详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET P-CH 200V 1.8A D2PAK
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：200V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.8A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3 欧姆 @ 900mA，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：11nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：170pF @ 25V
- 功率_最大：3W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商设备封装：D2PAK
- 包装：管件
IRF9610SPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET P-CH 200V 1.8A D2PAK
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：200V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.8A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3 欧姆 @ 900mA，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：11nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：170pF @ 25V
- 功率_最大：3W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商设备封装：D2PAK
- 包装：管件
IRF9610STRL详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET P-CH 200V 1.8A D2PAK
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：200V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.8A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3 欧姆 @ 900mA，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：11nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：170pF @ 25V
- 功率_最大：3W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商设备封装：D2PAK
- 包装：带卷 (TR)
- FET - 单 International Rectifier TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET N-CH 20V 100A DPAK
- 接口 - 驱动器，接收器，收发器 Intersil 24-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） IC 4DRVR/4RCVR RS232 5V 24-SOIC
- FET - 单 Vishay Siliconix TO-220-3 MOSFET P-CH 100V 19A TO-220AB
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 88POS DIP .100 SLD
- PMIC - 热交换 Intersil 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC USB PWR CTRLR DUAL 8SOIC
- 功率，高于 2 安 Panasonic Electric Works 径向，管状 RELAY GEN PURPOSE SPDT 15A 48V
- 编码器 Avago Technologies US Inc. 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） ENCODER MODULE 2CH 512CPR 8MM
- 数据采集 - 数字电位器 Intersil 14-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） IC DGTL POT DUAL 100K 14TSSOP
- FET - 单 International Rectifier TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET N-CH 30V 64A DPAK
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 88POS DIP .100 SLD
- PMIC - 热交换 Intersil 8-VDFN 裸露焊盘 IC USB PWR CTRLR DUAL 8SOIC
- 功率，高于 2 安 Panasonic Electric Works 径向，管状 RELAY GEN PURPOSE SPDT 15A 6V
- 编码器 Avago Technologies US Inc. 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） ENCODER MODULE 3CH 500CPR 8MM
- 数据采集 - 数字电位器 Intersil 14-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） IC DGTL POT DUAL 50K 14TSSOP
- FET - 单 International Rectifier TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET N-CH 30V 140A DPAK
19166203057 
755-83252273 
0755-82561519 
755-83241160（ 
0755-84507209 
0755-15913992 
0755-83663430 
0755-88917652 
13510131896 
010-62962871、 
19129493510 
13381567868 
13711580601 
0755-83242658 
