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IRLR7811WCTRRP详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 64A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：64A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：10.5 毫欧 @ 15A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：31nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：2260pF @ 15V; 功率_最大：71W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：D-Pak; 包装：带卷 (TR)

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Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 88POS DIP .100 SLD
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HL1-HP-DC6V
功率，高于 2 安 Panasonic Electric Works 径向，管状 RELAY GEN PURPOSE SPDT 15A 6V
HEDB-9140-A13
编码器 Avago Technologies US Inc. 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） ENCODER MODULE 3CH 500CPR 8MM

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