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IRF9540NL详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 100V 23A TO-262; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：23A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：117 毫欧 @ 11A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：97nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1300pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA; 供应商设备封装：TO-262; 包装：管件

IRF9540NLPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 100V 23A TO262-3; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：23A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：117 毫欧 @ 14A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：110nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1450pF @ 25V; 功率_最大：3.1W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA; 供应商设备封装：TO-262; 包装：管件

IRF9540NPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 100V 23A TO-220AB; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：23A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：117 毫欧 @ 11A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：97nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1300pF @ 25V; 功率_最大：140W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-220-3; 供应商设备封装：TO-220AB; 包装：管件

IRF9540NSPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 100V 23A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：23A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：117 毫欧 @ 14A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：110nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1450pF @ 25V; 功率_最大：3.1W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：管件

IRF9540NSTRLPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 100V 23A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：23A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：117 毫欧 @ 14A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：110nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1450pF @ 25V; 功率_最大：3.1W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：带卷 (TR)

IRF9540NSTRLPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 100V 23A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：23A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：117 毫欧 @ 14A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：110nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1450pF @ 25V; 功率_最大：3.1W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：Digi-Reel®

FSL137HNY
PMIC - AC-DC 转换器，离线开关 Fairchild Semiconductor 8-DIP（0.300"，7.62mm） IC FPS PWR SWITCH 100KHZ 8-MDIP
GRM1885C1H272JA01J
陶瓷 Murata Electronics North America 0603（1608 公制） CAP CER 2700PF 50V 5% NP0 0603
IRF9530PBF
FET - 单 Vishay Siliconix TO-220-3 MOSFET P-CH 100V 12A TO-220AB
HIP6004BCV-T
PMIC - 稳压器 - 专用型 Intersil 20-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） IC CTRLR PWM VOLTAGE MON 20TSSOP
IXTP110N055T2
FET - 单 IXYS TO-220-3 MOSFET N-CH 55V 110A TO-220
IPD50P04P4L-11
FET - 单 Infineon Technologies TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 TRANS P CH 40V 50A PG-TO252-3-31
CX0805MRX7R9BB473
陶瓷 Yageo 0805（2012 公制） CAP CER 0.047UF 50V 20% X7R 0805
ISL9012IRMGZ-T
PMIC - 稳压器 - 线性 Intersil 10-VFDFN 裸露焊盘 IC REG LDO 3V/2.7V 10-DFN
FSL176MRTUDTU
PMIC - AC-DC 转换器，离线开关 Fairchild Semiconductor IC FPS POWER SWITCH TO-220F-6
HIP6004BCVZ
PMIC - 稳压器 - 专用型 Intersil 20-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） IC CTRLR PWM VOLTAGE MON 20TSSOP
IXTP120P065T
FET - 单 IXYS TO-220-3 MOSFET P-CH 65V 120A TO-220
CX0805MRX7R9BB473
陶瓷 Yageo 0805（2012 公制） CAP CER 0.047UF 50V 20% X7R 0805
ISL9012IRNFZ
PMIC - 稳压器 - 线性 Intersil 10-VFDFN 裸露焊盘 IC REG LDO 3.3V/2.5V 10-DFN
IPD50R280CE
FET - 单 Infineon Technologies MOSFET N-CH 500V 13A PG-TO252
FSLM2520-1R8J=P2
固定式 Toko America Inc 1008（2520 公制） INDUCTOR 1.8UH 5% TYPE FSLM SMD

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