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IRF630NSTRL详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：200V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：9.3A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：300 毫欧 @ 5.4A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：35nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：575pF @ 25V; 功率_最大：82W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：带卷 (TR)

IRF630NSTRLPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：200V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：9.3A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：300 毫欧 @ 5.4A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：35nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：575pF @ 25V; 功率_最大：82W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：带卷 (TR)

IRF630NSTRLPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：200V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：9.3A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：300 毫欧 @ 5.4A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：35nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：575pF @ 25V; 功率_最大：82W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：Digi-Reel®

IRF630NSTRLPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：200V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：9.3A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：300 毫欧 @ 5.4A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：35nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：575pF @ 25V; 功率_最大：82W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：剪切带 (CT)

IRF630NSTRR详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：200V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：9.3A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：300 毫欧 @ 5.4A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：35nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：575pF @ 25V; 功率_最大：82W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：带卷 (TR)

IRF630NSTRRPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：200V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：9.3A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：300 毫欧 @ 5.4A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：35nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：575pF @ 25V; 功率_最大：82W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：带卷 (TR)

IRF510
FET - 单 Vishay Siliconix TO-220-3 MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-220AB
E32-T16WR
配件 Omron Electronics Inc-IA Div 模块，预接线 SENS HI FLEX AREA 30MM THRUBEAM
IRF630NSTRL
FET - 单 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK
IPR3PAD2
按钮 APEM Components, LLC TO-220-3 SWITCH PUSH SPST-NO 0.5A 48V
HCM24DSEH-S243
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 48POS .156 EYELET
IMP1-3L0-3L0-1E0-30-A
AC DC 转换器 Emerson Network Power/Embedded Power IMP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
DTS26F21-11SB
连接器，互连器件 TE Connectivity CONN PLUG 11POS STRGHT W/SKT
IRF510SPBF
FET - 单 Vishay Siliconix TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
IRF7524D1TR
FET - 单 International Rectifier 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） MOSFET P-CH 20V 1.7A MICRO8
HCM24DSEI
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 48POS .156 EYELET
IPR3PAD2104
按钮 APEM Components, LLC TO-220-3 SWITCH PUSH SPST-NO 0.5A 48V
IMP1-3L1-2E1-4LD1-4LL1-07-A
AC DC 转换器 Emerson Network Power/Embedded Power IMP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
DTS26F21-11SC
连接器，互连器件 TE Connectivity CONN PLUG 11POS STRGHT W/SKT
IRF510STRLPBF
FET - 单 Vishay Siliconix TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
IRF7524D1TRPBF
FET - 单 International Rectifier 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） MOSFET P-CH 20V 1.7A MICRO8

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