IRF510详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-220AB
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:5.6A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:540 毫欧 @ 3.4A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:8.3nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:180pF @ 25V
- 功率_最大:43W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-3
- 供应商设备封装:TO-220AB
- 包装:管件
IRF510L详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-262
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:5.6A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:540 毫欧 @ 3.4A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:8.3nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:180pF @ 25V
- 功率_最大:3.7W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
- 供应商设备封装:TO-262-3
- 包装:管件
IRF510PBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-220AB
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:5.6A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:540 毫欧 @ 3.4A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:8.3nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:180pF @ 25V
- 功率_最大:43W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-3
- 供应商设备封装:TO-220AB
- 包装:管件
IRF510S详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:5.6A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:540 毫欧 @ 3.4A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:8.3nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:180pF @ 25V
- 功率_最大:3.7W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:管件
IRF510SPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:5.6A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:540 毫欧 @ 3.4A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:8.3nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:180pF @ 25V
- 功率_最大:3.7W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:管件
IRF510STRL详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:5.6A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:540 毫欧 @ 3.4A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:8.3nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:180pF @ 25V
- 功率_最大:3.7W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:带卷 (TR)
- FET - 单 IXYS TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA MOSFET N-CH 600V 26A TO-268 D3
- LED - 分立式 Avago Technologies US Inc. 径向 LED T1-3/4 SUPER BRIGHT BLUE
- FET - 单 International Rectifier TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA MOSFET P-CH 55V 42A TO-262
- PMIC - 稳压器 - DC DC 切换控制器 Intersil 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC REG CTRLR PWM CM 8SOIC
- FET - 单 International Rectifier TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 20V 75A DPAK
- 存储器 Cypress Semiconductor Corp 165-LBGA IC SRAM 18MBIT 200MHZ 165LFBGA
- 振荡器 Fox Electronics 6-SMD,无引线(DFN,LCC) OSC 74.25 MHZ 2.5V LVDS SMD
- FET - 单 IXYS TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA MOSFET N-CH 500V 36A TO-268 D3
- 配件 Avago Technologies US Inc. HDWR V-LINK PORT PLUGS 500PC
- FET - 单 International Rectifier TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 30V 61A DPAK
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0402(1005 公制) CAP CER 3.5PF 50V S2H 0402
- 振荡器 Fox Electronics 6-SMD,无引线(DFN,LCC) OSC 10 MHZ 3.3V LVDS SMD
- 存储器 Cypress Semiconductor Corp 100-LQFP IC SRAM 18MBIT 167MHZ 100LQFP
- FET - 单 IXYS TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA MOSFET N-CH 300V 40A TO-268
- 配件 Avago Technologies US Inc. HDWR V-LINK PORT PLUGS 500PC