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当前位置:网站首页 » 库存索引254 » 型号"FQD8P10"的供应信息

FQD8P10 全国供应商、价格、PDF资料

型号:厂商:批号:封装:
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FQD8P10TF详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
系列:QFET™
制造商:Fairchild Semiconductor
FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:100V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:6.6A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:530 毫欧 @ 3.3A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:15nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:470pF @ 25V
功率_最大:2.5W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装:D-Pak
包装:带卷 (TR)

FQD8P10TF_NB82052详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
系列:QFET™
制造商:Fairchild Semiconductor
FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:100V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:6.6A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:530 毫欧 @ 3.3A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:15nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:470pF @ 25V
功率_最大:2.5W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装:D-Pak
包装:带卷 (TR)

FQD8P10TM详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
系列:QFET™
制造商:Fairchild Semiconductor
FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:100V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:6.6A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:530 毫欧 @ 3.3A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:15nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:470pF @ 25V
功率_最大:2.5W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装:TO-252-3
包装:剪切带 (CT)

FQD8P10TM详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
系列:QFET™
制造商:Fairchild Semiconductor
FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:100V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:6.6A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:530 毫欧 @ 3.3A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:15nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:470pF @ 25V
功率_最大:2.5W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装:TO-252-3
包装:Digi-Reel®

FQD8P10TM详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
系列:QFET™
制造商:Fairchild Semiconductor
FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:100V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:6.6A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:530 毫欧 @ 3.3A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:15nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:470pF @ 25V
功率_最大:2.5W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装:TO-252-3
包装:带卷 (TR)

FQD8P10TM_F080详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
系列:QFET™
制造商:Fairchild Semiconductor
FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:100V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:6.6A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:530 毫欧 @ 3.3A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:15nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:470pF @ 25V
功率_最大:2.5W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装:D-Pak
包装:带卷 (TR)

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