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FQD8P10TM详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK; 系列：QFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：6.6A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：530 毫欧 @ 3.3A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：470pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：TO-252-3; 包装：剪切带 (CT)

FQD8P10TM详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK; 系列：QFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：6.6A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：530 毫欧 @ 3.3A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：470pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：TO-252-3; 包装：Digi-Reel®

FQD8P10TM详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK; 系列：QFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：6.6A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：530 毫欧 @ 3.3A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：470pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：TO-252-3; 包装：带卷 (TR)

FQD8P10TM_F080详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK; 系列：QFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：6.6A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：530 毫欧 @ 3.3A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：470pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：D-Pak; 包装：带卷 (TR)

FQD8P10TM_F085详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK-3; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：6.6A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：530 毫欧 @ 3.3A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：470pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：TO-252，（D-Pak）; 包装：带卷 (TR)

FQD8P10TM_SB82052详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK; 系列：QFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：6.6A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：530 毫欧 @ 3.3A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：470pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：D-Pak; 包装：带卷 (TR)

FDG901D
接口 - 驱动器，接收器，收发器 Fairchild Semiconductor 6-TSSOP（5 引线），SC-88A，SOT-353 IC DRIVER FOR P-CH MOSFET SC70-5
FP-301 1 1/2" YL 100’
热缩管 3M 非标准 HEATSHRINK FP301 1-1/2" 5’ YELL
EBC35DCMH-S288
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 70POS .100 EXTEND
GCC18DRTN-S93
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 36POS DIP .100 SLD
FE2X10-3-2NL
共模扼流圈 Pulse Electronics Corporation 垂直式，4 PC 引脚 CHOKE COM MODE 2PHASE NOISE SUP
FDH50N50_F133
FET - 单 Fairchild Semiconductor TO-247-3 MOSFET N-CH 500V 50A TO-247
FQD7P20TM
FET - 单 Fairchild Semiconductor TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET P-CH 200V 5.7A DPAK
ESM06DTBN-S189
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 12POS R/A .156 SLD
FE-41164
配件 Honeywell Sensing and Control - INFRARED SENSOR COMPONENT PART
FDH700
单二极管/整流器 Fairchild Semiconductor DO-204AH，DO-35，轴向 DIODE 20V 150MA DO35
ESM06DTBS
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 12POS R/A .156 SLD
FE-41164
配件 Honeywell Sensing and Control - INFRARED SENSOR COMPONENT PART
GCC18DRXN-S734
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 36POS DIP .100 SLD
FQI13N50CTU
FET - 单 Fairchild Semiconductor TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA MOSFET N-CH 500V 13A I2PAK
ESM06DTBT
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 12POS R/A .156 SLD

FQD8P10TM 全国供应商、价格、PDF资料

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FDG901D

FP-301 1 1/2" YL 100’

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