FQA6N90C_F109详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 900V 6A TO-3P
- 系列:QFET™
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:900V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:6A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:2.3 欧姆 @ 3A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:40nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1770pF @ 25V
- 功率_最大:198W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-3P-3,SC-65-3
- 供应商设备封装:TO-3PN
- 包装:管件
- 陶瓷 TDK Corporation 1206(3216 公制) CAP CER 0.1UF 100V 10% X7R 1206
- 振荡器 Pericom 4-SMD,无引线(DFN,LCC) OSC 18.432MHZ 3.3V SMD
- 芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 0805(2012 公制) RES 120 OHM 1/4W 1% 0805 SMD
- 陶瓷 TDK Corporation 0603(1608 公制) CAP CER 0.22UF 16V 10% X7R 0603
- FET - 单 Fairchild Semiconductor TO-3P-3,SC-65-3 MOSFET N-CH 800V 6.3A TO-3P
- 陶瓷 TDK Corporation 1210(3225 公制) CAP CER 0.033UF 100V 5% NP0 1210
- 陶瓷 TDK Corporation 1206(3216 公制) CAP CER 6800PF 200V 5% NP0 1206
- 芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 0805(2012 公制) RES 1.30K OHM 1/4W 1% 0805 SMD
- 陶瓷 TDK Corporation 径向 CAP CER 6PF 50V RADIAL
- 陶瓷 TDK Corporation 1206(3216 公制) CAP CER 0.033UF 200V X7R 1206
- 陶瓷 TDK Corporation 1210(3225 公制) CAP CER 4.7UF 25V 10% X7R 1210
- 芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 0805(2012 公制) RES 150K OHM 1/4W 1% 0805 SMD
- 陶瓷 TDK Corporation 径向 CAP CER 15PF 50V 5% RADIAL
- 陶瓷 TDK Corporation 0603(1608 公制) CAP CER 0.22UF 16V 10% X7R 0603
- 陶瓷 TDK Corporation 1206(3216 公制) CAP CER 10000PF 500V NP0 1206