DS1220AB-200 全国供应商、价格、PDF资料
DS1220AB-200+详细规格
- 类别:存储器
- 描述:IC NVSRAM 16KBIT 200NS 24DIP
- 系列:-
- 制造商:Maxim Integrated
- 格式_存储器:RAM
- 存储器类型:NVSRAM(非易失 SRAM)
- 存储容量:16K (2K x 8)
- 速度:200ns
- 接口:并联
- 电压_电源:4.75 V ~ 5.25 V
- 工作温度:0°C ~ 70°C
- 封装/外壳:24-DIP 模块(0.600",15.24mm)
- 供应商器件封装:24-EDIP
- 包装:管件
DS1220AB-200IND详细规格
- 类别:存储器
- 描述:IC NVSRAM 16KBIT 200NS 24DIP
- 系列:-
- 制造商:Maxim Integrated
- 格式_存储器:RAM
- 存储器类型:NVSRAM(非易失 SRAM)
- 存储容量:16K (2K x 8)
- 速度:200ns
- 接口:并联
- 电压_电源:4.75 V ~ 5.25 V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C
- 封装/外壳:24-DIP 模块(0.600",15.24mm)
- 供应商器件封装:24-EDIP
- 包装:管件
DS1220AB-200IND+详细规格
- 类别:存储器
- 描述:IC NVSRAM 16KBIT 200NS 24DIP
- 系列:-
- 制造商:Maxim Integrated
- 格式_存储器:RAM
- 存储器类型:NVSRAM(非易失 SRAM)
- 存储容量:16K (2K x 8)
- 速度:200ns
- 接口:并联
- 电压_电源:4.75 V ~ 5.25 V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C
- 封装/外壳:24-DIP 模块(0.600",15.24mm)
- 供应商器件封装:24-EDIP
- 包装:管件
- 固定式 Vishay Dale 非标准 INDUCTOR POWER 39UH 1.8A SMD
- 电容器 Nichicon 径向,Can - 卡入式 CAP ALUM 180UF 400V 20% SNAP
- 存储器 Maxim Integrated 24-DIP 模块(0.600",15.24mm) IC NVSRAM 16KBIT 200NS 24DIP
- 存储器 IDT, Integrated Device Technology Inc 128-LQFP IC SRAM 4MBIT 15NS 128TQFP
- 陶瓷 Murata Electronics North America 1206(3216 公制) CAP CER 1UF 50V 10% X7R 1206
- 固定式 Vishay Dale INDUCTOR WW 100UH 10% 1812
- 固定式 Vishay Dale 非标准 INDUCTOR POWER 4700UH 0.14A SMD
- 二极管,整流器 - 阵列 IXYS TO-3P-3 整包 DIODE ARRAY 1200V 28A TO247AD
- 通孔电阻器 TT Electronics/IRC 轴向 RES THICK FLM 330 OHM 3W 1% AXL
- 陶瓷 Murata Electronics North America 1206(3216 公制) CAP CER 0.39UF 50V 10% X7R 1206
- 存储器 IDT, Integrated Device Technology Inc 128-LQFP IC SRAM 2.25MBIT 12NS 128TQFP
- 固定式 Vishay Dale 1812(4532 公制) INDUCTOR WW 100UH 10% 1812
- 功率,高于 2 安 Panasonic Electric Works TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA RELAY GEN PURPOSE DPST 5A 12V
- 固定式 Vishay Dale 非标准 INDUCTOR POWER 82UH 1.14A SMD
- 通孔电阻器 TT Electronics/IRC 轴向 RES THICK FLM 4.7K OHM 3W 1% AXL