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BST60,115详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANS PNP 45V 500MA SOT89; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶体管类型：PNP - 达林顿; 电流_集电极333Ic444（最大）：1A; 电压_集电极发射极击穿（最大）：45V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：1.3V @ 500µA，500mA; 电流_集电极截止（最大）：50nA; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：2000 @ 500mA，10V; 功率_最大：1.3W; 频率_转换：200MHz; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-243AA; 供应商设备封装：SOT-89-3; 包装：带卷 (TR)

BST60,115详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANS PNP 45V 500MA SOT89; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶体管类型：PNP - 达林顿; 电流_集电极333Ic444（最大）：1A; 电压_集电极发射极击穿（最大）：45V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：1.3V @ 500µA，500mA; 电流_集电极截止（最大）：50nA; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：2000 @ 500mA，10V; 功率_最大：1.3W; 频率_转换：200MHz; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-243AA; 供应商设备封装：SOT-89-3; 包装：剪切带 (CT)

BST60,115详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANS PNP 45V 500MA SOT89; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶体管类型：PNP - 达林顿; 电流_集电极333Ic444（最大）：1A; 电压_集电极发射极击穿（最大）：45V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：1.3V @ 500µA，500mA; 电流_集电极截止（最大）：50nA; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：2000 @ 500mA，10V; 功率_最大：1.3W; 频率_转换：200MHz; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-243AA; 供应商设备封装：SOT-89-3; 包装：Digi-Reel®

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