BST52TA详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANS DARL NPN 80V 500MA SOT-89
- 系列:-
- 制造商:Diodes Inc
- 晶体管类型:NPN - 达林顿
- 电流_集电极333Ic444(最大):500mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):80V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):1.3V @ 500µA,500mA
- 电流_集电极截止(最大):10µA
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:1000 @ 150mA,10V
- 功率_最大:1W
- 频率_转换:-
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-243AA
- 供应商设备封装:SOT-89-3
- 包装:剪切带 (CT)
BST52TA详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANS DARL NPN 80V 500MA SOT-89
- 系列:-
- 制造商:Diodes Inc
- 晶体管类型:NPN - 达林顿
- 电流_集电极333Ic444(最大):500mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):80V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):1.3V @ 500µA,500mA
- 电流_集电极截止(最大):10µA
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:1000 @ 150mA,10V
- 功率_最大:1W
- 频率_转换:-
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-243AA
- 供应商设备封装:SOT-89-3
- 包装:带卷 (TR)
BST52TA详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANS DARL NPN 80V 500MA SOT-89
- 系列:-
- 制造商:Diodes Inc
- 晶体管类型:NPN - 达林顿
- 电流_集电极333Ic444(最大):500mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):80V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):1.3V @ 500µA,500mA
- 电流_集电极截止(最大):10µA
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:1000 @ 150mA,10V
- 功率_最大:1W
- 频率_转换:-
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-243AA
- 供应商设备封装:SOT-89-3
- 包装:Digi-Reel®
- 薄膜 Vishay BC Components 径向 CAP FILM 0.039UF 630VDC RADIAL
- 薄膜 AVX Corporation 径向 CAP FILM 3300PF 400VDC RADIAL
- 通孔电阻器 TE Connectivity 轴向 RES 73.2 OHM 1/4W 0.1% AXIAL
- 配件 Mueller Electric Co 轴向 INSULATOR FOR BU-11 SERIES WHT
- 晶体管(BJT) - 单路 NXP Semiconductors TO-243AA TRANS NPN 45V 500MA SOT89
- 其它 NXP Semiconductors IC AMP MMIC WIDEBANK SOT363
- 陶瓷 Kemet 径向,圆盘 CAP CER 18PF 250V 5% RADIAL
- 薄膜 AVX Corporation 径向 CAP FILM 3900PF 400VDC RADIAL
- 通孔电阻器 TE Connectivity 轴向 RES 78.7 OHM 1/4W 0.1% AXIAL
- 陶瓷 Kemet 径向,圆盘 CAP CER 18PF 250V 5% RADIAL
- 印刷模板,模板 OKI/Metcal 径向,圆盘 STENCIL BGA357 CRNER BALL MISSNG
- 通孔电阻器 TE Connectivity 轴向 RES 866 OHM 1/4W 0.1% AXIAL
- 薄膜 AVX Corporation 径向 CAP FILM 8200PF 400VDC RADIAL
- 薄膜 Vishay BC Components 径向 CAP FILM 4300PF 630VDC RADIAL
- 晶体管(BJT) - 单路 NXP Semiconductors TO-243AA TRANS PNP 45V 500MA SOT89