BSO612CV详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET COMPL N+P 60V 2A 8-SOIC
- 系列:SIPMOS®
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:N 和 P 沟道
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:3A,2A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:120 毫欧 @ 3A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 20µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:15.5nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:340pF @ 25V
- 功率_最大:2W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:P-DSO-8
- 包装:带卷 (TR)
BSO612CV详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET COMPL N+P 60V 2A 8-SOIC
- 系列:SIPMOS®
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:N 和 P 沟道
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:3A,2A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:120 毫欧 @ 3A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 20µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:15.5nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:340pF @ 25V
- 功率_最大:2W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:P-DSO-8
- 包装:剪切带 (CT)
BSO612CV G详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET N/P-CH 60V 2A 8-SOIC
- 系列:SIPMOS®
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:N 和 P 沟道
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:3A,2A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:120 毫欧 @ 3A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 20µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:15.5nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:340pF @ 25V
- 功率_最大:2W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:PG-DSO-8
- 包装:剪切带 (CT)
BSO612CV G详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET N/P-CH 60V 2A 8-SOIC
- 系列:SIPMOS®
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:N 和 P 沟道
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:3A,2A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:120 毫欧 @ 3A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 20µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:15.5nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:340pF @ 25V
- 功率_最大:2W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:PG-DSO-8
- 包装:Digi-Reel®
BSO612CV G详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET N/P-CH 60V 2A 8-SOIC
- 系列:SIPMOS®
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:N 和 P 沟道
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:3A,2A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:120 毫欧 @ 3A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 20µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:15.5nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:340pF @ 25V
- 功率_最大:2W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:PG-DSO-8
- 包装:带卷 (TR)
- 固定式 Taiyo Yuden 0805(2012 公制) INDUCTOR 2.2UH 600MA 20% SMD
- 配件 TE Connectivity BOOTSEAL PB 1/4-40 BLACK
- 连接器,互连器件 TE Connectivity CONN RCPT 61POS FLANGE W/SKT
- FET - 单 Infineon Technologies 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET P-CH 30V 8.9A 8-SOIC
- 圆形 - 外壳 Amphenol Industrial Operations CONN HSG RCPT 19POS WALL MT SCKT
- 通孔电阻器 Vishay Dale 轴向 RES 32.4K OHM 1/2W 1% AXIAL
- 固定式 Taiyo Yuden 0805(2012 公制) INDUCTOR 33UH 20% 0805 SMD
- 配件 TE Connectivity BOOTSEAL PB 1/4-40 BLACK
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 100PS R/A .125 SLD
- FET - 阵列 Diodes Inc 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET P-CH 30V 4.4A 8-SOIC
- 连接器,互连器件 TE Connectivity CONN RCPT 19POS FLANGE W/SKT
- 通孔电阻器 Vishay Dale 轴向 RES 32.4K OHM 1/2W 1% AXIAL
- 固定式 Taiyo Yuden 0805(2012 公制) INDUCTOR 4.7UH 340MA 20% SMD
- 配件 TE Connectivity BOOTSEAL PB 1/4-40 BLACK
- FET - 阵列 Infineon Technologies 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC