BSO303SP详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 30V 8.9A 8-SOIC
- 系列:OptiMOS™
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:8.9A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:21 毫欧 @ 8.9A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 100µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:69nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1754pF @ 25V
- 功率_最大:2.35W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SO
- 包装:带卷 (TR)
BSO303SP详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 30V 8.9A 8-SOIC
- 系列:OptiMOS™
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:8.9A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:21 毫欧 @ 8.9A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 100µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:69nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1754pF @ 25V
- 功率_最大:2.35W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SO
- 包装:剪切带 (CT)
BSO303SP详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 30V 8.9A 8-SOIC
- 系列:OptiMOS™
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:8.9A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:21 毫欧 @ 8.9A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 100µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:69nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1754pF @ 25V
- 功率_最大:2.35W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:P-DSO-8
- 包装:带卷 (TR)
BSO303SP详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 30V 8.9A 8-SOIC
- 系列:OptiMOS™
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:8.9A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:21 毫欧 @ 8.9A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 100µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:69nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1754pF @ 25V
- 功率_最大:2.35W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:P-DSO-8
- 包装:剪切带 (CT)
BSO303SP H详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 30V 7.2A 8DSO
- 系列:OptiMOS™
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:7.2A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:21 毫欧 @ 9.1A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 100µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:54nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2330pF @ 25V
- 功率_最大:1.56W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:PG-DSO-8
- 包装:带卷 (TR)
BSO303SP H详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 30V 7.2A 8DSO
- 系列:OptiMOS™
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:7.2A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:21 毫欧 @ 9.1A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 100µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:54nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2330pF @ 25V
- 功率_最大:1.56W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:PG-DSO-8
- 包装:剪切带 (CT)
- 陶瓷 Kemet 径向,圆盘 CAP CER 68PF 300V 5% RADIAL
- RF 屏蔽 Laird Technologies EMI BOARD SHIELD 1.747X1.747" 1PIECE
- 陶瓷 Kemet 1808(4520 公制) CAP CER 3900PF 1.5KV X7R 1808
- 固定式 Taiyo Yuden 1007(2518 公制) INDUCTOR 1.5UH 1.0A 20% SMD
- 连接器,互连器件 ITT Cannon CONN RCPT 7POS BOX MNT W/SKTS
- 矩形 CW Industries 0505(1313 公制) IDC CABLE - CSC16S/AE16G/X
- 支架 - 元件 Bud Industries COVER SMALL RACK MOUNT SOLID
- 陶瓷 Kemet 径向,圆盘 CAP CER 68PF 300V 5% RADIAL
- RF 屏蔽 Laird Technologies EMI BOARD SHIELD 1.747X1.747" 1PIECE
- 固定式 Taiyo Yuden 1007(2518 公制) INDUCTOR 4.7UH .65A 20% SMD
- 连接器,互连器件 ITT Cannon CONN RCPT 3POS BOX MNT W/PINS
- 矩形 CW Industries 0505(1313 公制) IDC CABLE - CSC50S/AE50M/X
- 高负载 - 组件 Amphenol-Tuchel Electronics CONN 24POS PANEL POWER KIT
- 陶瓷 Kemet 径向,圆盘 CAP CER 68PF 300V 5% RADIAL
- RF 屏蔽 Laird Technologies EMI BOARD SHIELD .476X.538" FRAME