BC849BLT3详细规格
- 类别：晶体管(BJT) - 单路
- 描述：TRANSISTOR NPN 30V 100MA SOT-23
- 系列：-
- 制造商：ON Semiconductor
- 晶体管类型：NPN
- 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA
- 电压_集电极发射极击穿（最大）：30V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：600mV @ 5mA，100mA
- 电流_集电极截止（最大）：-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：200 @ 2mA，5V
- 功率_最大：225mW
- 频率_转换：100MHz
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商设备封装：SOT-23-3（TO-236）
- 包装：带卷 (TR)
BC849BLT3G详细规格
- 类别：晶体管(BJT) - 单路
- 描述：TRANSISTOR NPN 30V 100MA SOT-23
- 系列：-
- 制造商：ON Semiconductor
- 晶体管类型：NPN
- 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA
- 电压_集电极发射极击穿（最大）：30V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：600mV @ 5mA，100mA
- 电流_集电极截止（最大）：-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：200 @ 2mA，5V
- 功率_最大：225mW
- 频率_转换：100MHz
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商设备封装：SOT-23-3（TO-236）
- 包装：带卷 (TR)
- 其它 Omron Electronics Inc-IA Div 径向 CPU 15.2K W/RS232 880POS I/O
- 陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 510PF 100V 5% NP0 0805
- 陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 1000PF 50V 10% X7R 0805
- 晶体管(BJT) - 单路 NXP Semiconductors TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 TRANSISTOR NPN 30V 100MA SOT23
- 陶瓷 Kemet 1812（4532 公制） CAP CER 2200PF 200V 5% NP0 1812
- PMIC - 监控器 Rohm Semiconductor 6-TFSOP（0.063"，1.60mm 宽），5 引线 IC RESET OD 2.7V 100MS 5SSOP
- 薄膜 Vishay BC Components 径向 CAP FILM 0.043UF 2.5KVDC RADIAL
- 陶瓷 TDK Corporation 0201（0603 公制） CAP CER 39PF 50V 5% NP0 0201
- 陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 510PF 100V 5% NP0 0805
- 陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 1000PF 50V 10% X7R 0805
- PMIC - 监控器 Rohm Semiconductor 6-TFSOP（0.063"，1.60mm 宽），5 引线 IC RESET OD 2.9V 50MS 5SSOP
- 陶瓷 Kemet 1812（4532 公制） CAP CER 2200PF 500V 5% NP0 1812
- 薄膜 Vishay BC Components 径向 CAP FILM 4700PF 2.5KVDC RADIAL
- 陶瓷 TDK Corporation 0201（0603 公制） CAP CER 3.3PF 50V NP0 0201
- 其它 Omron Electronics Inc-IA Div 0201（0603 公制） CPU 15.2K 1184POS I/O
0755-83291010 
13681678667 
0755-82561519 
13910052844（微 
13910052844（微 
0755-22929859 
0755-89697985 
0755-83039139 
010-62962871、 
0755-83223003 
010-62962871、 
