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ATP1 全国供应商、价格、PDF资料

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ATP100SM详细规格

类别:晶体
描述:CRYSTAL 10.000 MHZ SERIES SMD
系列:ATP-SM
制造商:CTS-Frequency Controls
类型:MHz 晶体
频率:10MHz
频率稳定性:±50ppm
频率公差:±50ppm
负载电容:系列
ESR(等效串联电阻):50 欧姆
工作模式:基谐
工作温度:-20°C ~ 70°C
额定值:-
安装类型:表面贴装
封装/外壳:4-SOJ,9.40mm 间距
尺寸/尺寸:0.492" L x 0.180" W(12.50mm x 4.60mm)
高度:0.146"(3.70mm)
包装:散装

ATP100SM详细规格

类别:晶体
描述:CRYSTAL 10.000 MHZ SERIES SMD
系列:ATP-SM
制造商:CTS-Frequency Controls
频率:10MHz
阻抗:
滤波器类型:
插入损耗:
纹波:
封装/外壳:4-SOJ,9.40mm 间距
安装类型:表面贴装
包装:散装
高度(最大):
尺寸/尺寸:0.492" L x 0.180" W(12.50mm x 4.60mm)

ATP101-TL-H详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET P-CH 30V 25A ATPAK
系列:-
制造商:ON Semiconductor
FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:30V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:25A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:30 毫欧 @ 13A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):-
闸电荷333Qg4440a0Vgs:18.5nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:875pF @ 10V
功率_最大:30W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:ATPAK(2 引线 + 接片)
供应商设备封装:ATPAK
包装:带卷 (TR)

ATP102-TL-H详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET P-CH 30V 40A ATPAK
系列:-
制造商:ON Semiconductor
FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:30V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:40A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:18.5 毫欧 @ 20A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):-
闸电荷333Qg4440a0Vgs:34nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:1490pF @ 10V
功率_最大:40W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:ATPAK(2 引线 + 接片)
供应商设备封装:ATPAK
包装:带卷 (TR)

ATP102-TL-H详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET P-CH 30V 40A ATPAK
系列:-
制造商:ON Semiconductor
FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:30V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:40A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:18.5 毫欧 @ 20A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):-
闸电荷333Qg4440a0Vgs:34nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:1490pF @ 10V
功率_最大:40W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:ATPAK(2 引线 + 接片)
供应商设备封装:ATPAK
包装:剪切带 (CT)

ATP102-TL-H详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET P-CH 30V 40A ATPAK
系列:-
制造商:ON Semiconductor
FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:30V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:40A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:18.5 毫欧 @ 20A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):-
闸电荷333Qg4440a0Vgs:34nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:1490pF @ 10V
功率_最大:40W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:ATPAK(2 引线 + 接片)
供应商设备封装:ATPAK
包装:Digi-Reel®

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