ATP102-TL-H 全国供应商、价格、PDF资料

ATP102-TL-H详细规格

类别：FET - 单

描述：MOSFET P-CH 30V 40A ATPAK

系列：-

制造商：ON Semiconductor

FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物

FET特点：逻辑电平门

漏极至源极电压333Vdss444：30V

电流_连续漏极333Id4440a025000C：40A

开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：18.5 毫欧 @ 20A，10V

Id时的Vgs333th444（最大）：-

闸电荷333Qg4440a0Vgs：34nC @ 10V

输入电容333Ciss4440a0Vds：1490pF @ 10V

功率_最大：40W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：ATPAK（2 引线 + 接片）

供应商设备封装：ATPAK

包装：带卷 (TR)

ATP102-TL-H详细规格

类别：FET - 单

描述：MOSFET P-CH 30V 40A ATPAK

系列：-

制造商：ON Semiconductor

FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物

FET特点：逻辑电平门

漏极至源极电压333Vdss444：30V

电流_连续漏极333Id4440a025000C：40A

开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：18.5 毫欧 @ 20A，10V

Id时的Vgs333th444（最大）：-

闸电荷333Qg4440a0Vgs：34nC @ 10V

输入电容333Ciss4440a0Vds：1490pF @ 10V

功率_最大：40W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：ATPAK（2 引线 + 接片）

供应商设备封装：ATPAK

包装：剪切带 (CT)

ATP102-TL-H详细规格

类别：FET - 单

描述：MOSFET P-CH 30V 40A ATPAK

系列：-

制造商：ON Semiconductor

FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物

FET特点：逻辑电平门

漏极至源极电压333Vdss444：30V

电流_连续漏极333Id4440a025000C：40A

开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：18.5 毫欧 @ 20A，10V

Id时的Vgs333th444（最大）：-

闸电荷333Qg4440a0Vgs：34nC @ 10V

输入电容333Ciss4440a0Vds：1490pF @ 10V

功率_最大：40W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：ATPAK（2 引线 + 接片）

供应商设备封装：ATPAK

包装：Digi-Reel®