型号:SI4186DY-T1-GE3
类别:FET - 单
制造商:Vishay Siliconix
封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
描述:MOSFET N-CH 20V 35.8A 8SOIC
系列:TrenchFET®
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:20V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:35.8A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:2.6 毫欧 @ 15A,10V
Id时的Vgs333th444111最大222:2.4V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:90nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:3630pF @ 10V
功率_最大:6W
安装类型:表面贴装
封装__外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装:8-SOIC N
包装:带卷 (TR)
厂 商:VISHAY [ Vishay Siliconix ]
描 述:N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
大 小:280K