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详细参数
型号:SI2300DS-T1-GE3
类别:FET - 单
制造商:Vishay Siliconix
封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
描述:MOSFET N-CH 30V SOT-23
系列:TrenchFET®
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:30V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:3.6A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:68 毫欧 @ 2.9A,4.5V
Id时的Vgs333th444111最大222:1.5V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:10nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:320pF @ 15V
功率_最大:1.7W
安装类型:表面贴装
封装__外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236)
包装:带卷 (TR)
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厂 商:SILABS [ Silicon Laboratories ]
描 述:SATELLITE RECEIVER FOR DVB-S/DSS
大 小:975K
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查询更多Si2312CDS-T1-GE3P5供应信息         发布时间:1970/1/1 8:00:00

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