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数据表
NPN硅射频晶体管晶体管
PA891TD
NPN硅射频晶体管（带2个元素）
采用6引脚无引线少MINIMOLD
特点
内置适合OSC操作低相位失真晶体管
f
T
= 5.0 GHz的典型值，
S
21e
2
= 4.0 dB典型值。 @ V
CE
= 1 V，I
C
= 5毫安， F = 2 GHz的
内置2个晶体管（ 2
×
2SC5600)
6针引线少minimold包
内置的晶体管
Q1, Q2
3引脚薄型超超minimold部分号
2SC5600
订购信息
产品型号
QUANTITY
50个（非卷轴）
10千件/卷
供给方式
8毫米宽压纹带卷
引脚1 （ Q1集电极） ，引脚6 （ Q1基极）所面临的磁带的侧穿孔
PA891TD
PA891TD-T3
备注
如需订购样品评价，咨询公司销售代表。
样本股数量为50个。
绝对最大额定值（T
A
= +25°C)
°
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
合计
记
评级
9
5.5
1.5
100
在1单元190
210的2个元素
150
65
+150
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
T
j
T
英镑
2
记
安装在1.08厘米
×
1.0毫米（t）的玻璃环氧基板
由于这款产品采用高频技术，避免过多的静电，等等。
本文档中的信息如有更改，恕不另行通知。使用本文档，请前
证实，这是最新版本。
不是所有的设备/类型在每个国家都可用。请与当地的NEC代表检查
供应及其他信息。
一号文件P15538EJ1V0DS00 （第1版）
发布日期2001年5月NS CP （ K）
日本印刷
2001
PA891TD
电气特性（T
A
= +25°C)
°
参数
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
增益带宽积（ 1 ）
增益带宽积（ 2 ）
插入功率增益（ 1 ）
插入功率增益（ 2 ）
噪声系数
反向传输电容
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
注1
测试条件
V
CB
= 5 V，I
E
= 0毫安
V
BE
= 1 V，I
C
= 0毫安
V
CE
= 1 V，I
C
= 5毫安
V
CE
= 1 V，I
C
= 5毫安， F = 2 GHz的
V
CE
= 1 V，I
C
= 15 mA时， F = 2 GHz的
分钟。
100
3.5
5.5
3.5
4.5
典型值。
5.0
6.5
4.0
5.5
1.5
0.8
马克斯。
600
600
160
2.5
1.0
单位
nA
nA
GHz的
GHz的
dB
dB
dB
pF
f
T
f
T
S
21e
S
21e
NF
C
re
注2
2
V
CE
= 1 V，I
C
= 5毫安， F = 2 GHz的
V
CE
= 1 V，I
C
= 15 mA时， F = 2 GHz的
V
CE
= 1 V，I
C
= 5毫安， F = 2 GHz时，
Z
S
= Z
选择
V
CB
= 0.5 V，I
E
= 0 mA时， F = 1兆赫
2
注意事项1 。
脉搏测量： PW
≤
350
S，占空比
≤
2%
2.
集电极基极电容，当发射器接地
h
FE
分类
秩
记号
h
FE
价值
FB
kH
100160
2
数据表P15538EJ1V0DS
PA891TD
典型特征（除另有规定外，T
A
= +25°C)
°
总功耗
- 环境温度
总功耗P
合计
（ mW）的
反向传输电容
与集电极 - 基极电压
反向传输电容C
re
（PF ）
300
250
200
150
每个元件
100
50
210
190
1.0
F = 1 MHz的
0.8
安装在玻璃环氧树脂板
（ 1.08厘米
2
×
1.0毫米（ t））的
2个元素共
0.6
0.4
0.2
0
25
50
75
100
125
150
0
2
4
6
8
10
环境温度T
A
(C)
集电极基极电压V
CB
(V)
集电极电流主场迎战
基地发射极电压
100
V
CE
= 1 V
集电极电流I
C
（MA ）
集电极电流I
C
（MA ）
集电极电流主场迎战
基地发射极电压
100
V
CE
= 2 V
80
80
60
60
40
40
20
20
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
基极至发射极电压V
BE
(V)
基极至发射极电压V
BE
(V)
集电极电流主场迎战
集电极到发射极电压
50
200
A
180
A
160
A
140
A
120
A
20
100
A
80
A
10
60
A
40
A
2
4
I
B
= 20
A
6
8
集电极电流I
C
（MA ）
40
30
0
集电极到发射极电压V
CE
(V)
数据表P15538EJ1V0DS
3
PA891TD
直流电流增益主场迎战
集电极电流
1 000
V
CE
= 1 V
1 000
V
CE
= 2 V
直流电流增益主场迎战
集电极电流
直流电流增益
FE
直流电流增益
FE
100
100
10
0.1
1
10
100
10
0.1
1
10
100
集电极电流I
C
（MA ）
集电极电流I
C
（MA ）
4
数据表P15538EJ1V0DS
PA891TD
增益带宽积
与集电极电流
10
增益带宽乘积F
T
（千兆赫）
增益带宽乘积F
T
（千兆赫）
增益带宽积
与集电极电流
10
V
CE
= 2 V
F = 2 GHz的
8
V
CE
= 1 V
F = 2 GHz的
8
6
6
4
4
2
0
1
2
0
1
10
集电极电流I
C
（MA ）
100
10
集电极电流I
C
（MA ）
100
插入功率增益与频率
30
插入功率增益| S
21e
|
2
（ dB）的
插入功率增益| S
21e
|
2
（ dB）的
插入功率增益与频率
30
25
20
15
10
5
0
0.1
V
CE
= 2 V
I
C
= 5毫安
25
20
15
10
5
0
0.1
V
CE
= 1 V
I
C
= 5毫安
1
频率f（ GHz）的
10
1
频率f（ GHz）的
10
插入功率增益与频率
30
插入功率增益| S
21e
|
2
（ dB）的
插入功率增益| S
21e
|
2
（ dB）的
插入功率增益与频率
30
25
20
15
10
5
0
0.1
V
CE
= 2 V
I
C
= 15毫安
25
20
15
10
5
0
0.1
V
CE
= 1 V
I
C
= 15毫安
1
频率f（ GHz）的
10
1
频率f（ GHz）的
10
数据表P15538EJ1V0DS
5
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