UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
UR5596
DDR终止
调节器
描述
在UTC
UR5596
是一个线性总线终端稳压器和
设计符合JEDEC SSTL - 2 （存根系列终端逻辑）
规格为终止DDR- SDRAM内存。它也可以是
在SSTL - 3或使用HSTL （高速收发器逻辑）
方案。该器件包含一个高速运算放大器提供
优良响应于负载瞬变，并且可以提供1.5A
连续电流和瞬时峰值高达3A中的应用
根据需要为DDR -SDRAM终止。
在UTC
UR5596
还采用了V
SENSE
引脚提供
出色的负载调节和V
REF
作为一个参考输出
芯片组和DIMM 。此外，低电平有效关断（ SHDN ）引脚
提供了挂起到内存（ STR ）的功能。当SHDN为
拉低了V
TT
输出三态，提供高阻抗
输出，但是，V
REF
将保持有效。省电的优势
可以在这种模式下，通过低静态电流来获得。
对于输出电压V
TT
能够下沉和采购
电流，同时调节输出电压等于V
DDQ
/ 2 。该
输出级被设计成保持优异的负载
法规同时通过防止拍摄。在UTC
UR5596
还
采用两种不同的电源轨分隔模拟
电路的功率输出级。这使得分离轨
要利用的方法来降低内部功耗和
允许UTC
UR5596
提供DDRII终止溶液
SDRAM 。
CMOS IC
*无铅电镀产品编号： UR5596L
特点
*资料来源和吸收电流
*低输出电压失调
*无需外部电阻器
*线性拓扑
*挂起到内存（ STR ）的功能
*低外部元件数量
*热关断保护
订购信息
订购数量
正常
无铅电镀
UR5596-S08-R
UR5596L-S08-R
UR5596-S08-T
UR5596L-S08-T
UR5596-SH2-R
UR5596L-SH2-R
UR5596-SH2-T
UR5596L-SH2-T
UR5596L-S08-R
（ 1 ）包装类型
（ 2 ）封装类型
（ 3 ）铅电镀
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2008 Unisonic技术有限公司
（ 1 ）R ：带卷轴，T ：管
（2） S08 ： SOP-8
（ 3）L ：无铅电镀，空白：铅/锡
1 12
QW-R502-045,C
包
SOP-8
SOP-8
HSOP-8
HSOP-8
填料
带盘
管
带盘
管
UR5596
引脚配置
GND
SHDN
1
2
GND
CMOS IC
8 V
TT
7 PV
IN
6 AV
IN
5 V
DDQ
HSOP-8
V
SENSE
3
V
REF
4
引脚说明
PIN号
1
2
3
4
5
6
7
8
引脚名称
GND
SHDN
V
SENSE
V
REF
V
DDQ
AV
IN
PV
IN
V
TT
引脚功能
地
关闭
反馈引脚用于调节V
TT
.
V的缓冲内部参考电压
DDQ
/2
输入内部基准等于V
DDQ
/2
模拟输入引脚
电源输入引脚
输出电压，用于连接到终端电阻
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QW-R502-045,C
UR5596
框图
CMOS IC
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QW-R502-045,C
UR5596
绝对最大额定值
参数
CMOS IC
符号
评级
单位
PV
IN
， AV
IN
, V
DDQ
到GND
V
DD
-0.3 ~ +6
V
电源电压
V
DD
2.2 ~ 5.5
V
AV
IN
到GND （注1 ）
℃
结温
T
J
+150
℃
工作温度
T
OPR
0 ~ +125
℃
储存温度
T
英镑
-40 ~ +150
注意：绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
热数据
参数
热阻结到环境
符号
θ
JA
评级
150
单位
℃/W
电气特性
(T
J
= 25 ° C，V
IN
= AV
IN
？光伏
IN
=2.5V, V
DDQ
= 2.5V时，除非另有规定） 。
参数
符号
测试条件
V
IN
= V
DDQ
= 2.3V
V
IN
= V
DDQ
= 2.5V
V
REF
电压
V
REF
V
IN
= V
DDQ
= 2.7V
V
IN
= V
DDQ
= 2.3V
V
IN
= V
DDQ
= 2.5V
I
OUT
= 0A
V
IN
= V
DDQ
= 2.7V
V
TT
输出电压
V
TT
V
IN
= V
DDQ
= 2.3V
V
IN
= V
DDQ
= 2.5V
I
OUT
= ±1.5A
V
IN
= V
DDQ
= 2.7V
高
V
IH
最小的关断电平
低
V
IL
VOS
TT
I
OUT
= 0A
I
OUT
= -1.5A
V
TT
输出电压偏移量（V
REF
- V
TT
)
V
TT
I
OUT
= +1.5A
静态电流
I
Q
I
OUT
= 0A
在关断静态电流
I
SD
SD = 0V
关断电流
I
Q_SD
SD = 0V
SD = 0V
V
TT
在关断漏电流
I
V
V
TT
= 1.25V
V
SENSE
输入电流
I
SENSE
V
REF
输出阻抗
Z
VREF
I
REF
= -30 ~ +30 A
V
DDQ
输入阻抗
Z
VDDQ
热关断
T
SD
热关断迟滞
T
SD- HYS
民
1.130
1.235
1.335
1.125
1.225
1.325
1.125
1.225
1.325
1.9
-20
-25
-25
典型值
1.158
1.258
1.358
1.159
1.259
1.359
1.159
1.259
1.359
最大
1.185
1.285
1.385
1.190
1.290
1.390
1.190
1.290
1.390
0.8
20
25
25
500
150
5
10
单位
V
V
V
mV
A
A
A
A
nA
k
k
℃
℃
0
0
0
320
115
2
1
13
2.5
100
165
10
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QW-R502-045,C
UR5596
引脚说明
AV
IN
， PV
IN
CMOS IC
输入电源引脚。
AV
IN
用于提供所有的内部模拟电路和PV
IN
用于提供输出级
打造V
TT
。这些引脚都工作过根据应用不同的供应能力。更高
光伏电压
IN
会增加，因为输出RDSON限制的最大连续输出电流
电压接近V
TT
。但内部功率损耗也将增大，热限制了设计。如果结
温度超过超过部分的热关断将进入停机状态，等同于手动
关闭其中V
TT
为三态和V
REF
保持活动状态。
对于SSTL - 2应用程序，一个很好的折衷办法是将AV
IN
和PV
IN
直接一起在2.5V 。这
省去了分别绕过两个电源脚。关于输入电压选择唯一的限制是
光伏
IN
必须等于或低于AV
IN
。建议在连接PV
IN
到电压轨等于或小于
超过3.3V ，以防止热限制从因为过度的内部功耗跳闸。
V
DDQ
输入引脚用来从两个内部50kΩ的电阻分压器创建内部基准电压
电阻
调节V
TT
并保证V
TT
将跟踪V
DDQ
/ 2精确。作为一个远程感应连接V
DDQ
直接向
2.5V电源SSTL - 2应用程序为V的最佳实施
DDQ
在DIMM 。这就保证了参考
电压跟踪DDR存储器轨道精确而不脱离电源线的大电压降。
V
SENSE
SENSE引脚供电提高远程负载调节，如果不使用遥控器的负载调整率则V
SENSE
针
仍必须连接到V
TT
。长走线会造成导致终止电压显著IR压降在较低
比其他总线的一端。连接V
SENSE
引脚连接到总线的中间穿过，以提供更好的分配
整个端接总线则DDR性能将得到改善。走时长V的通知
SENSE
轨迹是
在接近实施在V存储器，噪声拾取
SENSE
跟踪可能会导致问题具有精确
V调节
TT
。一个0.1uF的陶瓷电容被放置到旁边的V
SENSE
针可以帮助滤除的高频
信号和防止错误的。
V
REF
V
REF
提供的内部参考电压V的缓冲输出
DDQ
/ 2 。此输出提供参考电压
针对北桥芯片和内存。因为这些输入通常是非常高的阻抗，应该有
小电流从V画
REF
。一个0.1μF 0.01μF的陶瓷电容可用于获取更好的性能，
靠近引脚，以帮助噪音。在关机状态下，热此输出仍然有效
关机事件挂起到RAM功能。
V
TT
V
TT
是稳压输出的总线端接电阻器DDR- SDRAM内存。它可以精确地跟踪在V
DDQ
/2
电压与下沉和输出电流能力。在UTC
UR5596
是专门用来处理瞬态峰值
最高电流为± 3A具有快速的瞬态响应。如果暂时预计仍将高于最高
连续电流额定值为一个显著量的时间，然后输出电容的大小应该足够大，以
防止过大的电压降。
虽然UTC
UR5596
可以处理较大的瞬态输出电流，但是它不能处理这些较长的时间
由于SOP- 8封装的有限的热耗散能力。如果所需要的更长的持续时间的大电流，
然后必须确保的最大结温不超过，否则，最大输出电流将
降低加热。适当的热降额应始终使用。而超出结温
温，热关断保护将发挥作用，则V
TT
将三态，直到一部分返回以下
迟滞触发点。
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