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新产品
U1B , U1C & U1D
威世通用半导体
表面贴装塑料超快整流器
特点
氧化物平面芯片结
超快恢复时间
低正向电压,低功率损耗
高正向浪涌能力
符合MSL等级1 ,符合per J -STD- 020 , LF最大
260℃峰值
DO- 214AC ( SMA)的
浸焊260 ° C, 40秒
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
典型应用
主要特征
I
F( AV )
V
RRM
I
FSM
t
rr
V
F
在我
F
= 1.0 A
T
J
马克斯。
1.0 A
100 V, 150 V, 200 V
30 A
15纳秒
0.76 V
150 °C
对于使用低电压,高频整流
开关电源,续流二极管,
直流 - 直流转换器或极性保护应用程序。
机械数据
案例:
DO- 214AC ( SMA)的
环氧符合UL 94V- 0阻燃等级
终端:
雾锡镀线索,每焊
J- STD- 002和JESD22- B102
E3后缀消费档次,满足JESD 201级
1A晶须试验
极性:
颜色频带端为负极
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
参数
器件标识代码
最大重复峰值反向电压
最大正向平均整流电流(图1)
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷
工作结存储温度范围
V
RRM
I
F( AV )
I
FSM
T
J
, T
英镑
符号
U1B
U1B
100
U1C
U1C
150
1.0
30
- 55至+ 150
U1D
U1D
200
V
A
A
°C
单位
文档编号: 89065
修订: 13 08年5月
您所在区域内的技术问题,请联系以下之一:
PDD-Americas@vishay.com , PDD-Asia@vishay.com , PDD-Europe@vishay.com
www.vishay.com
1
新产品
U1B , U1C & U1D
威世通用半导体
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
参数
I
F
= 0.6 A
I
F
= 1.0 A
I
F
= 0.6 A
I
F
= 1.0 A
反向电流
(2)
为V
R
I
F
= 0.5 A,I
R
= 1.0 A,
I
rr
= 0.25 A
I
F
= 0.6 A , di / dt的= 50 A / μs的,
V
R
= 30 V,I
rr
= 0.1 I
RM
保管费用
典型结电容
I
F
= 0.6 A , di / dt的= 50 A / μs的,
V
R
= 30 V,I
rr
= 0.1 I
RM
4.0 V, 1 MHz的
测试条件
T
A
= 25 °C
V
F
T
A
= 100 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 100 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 100 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 100 °C
I
R
t
rr
t
rr
Q
rr
C
J
符号
典型值。
0.82
0.87
0.71
0.76
-
55
-
24
29
7
13
6.8
马克斯。
0.87
0.92
V
0.78
0.84
5.0
100
15
-
-
-
-
-
A
ns
ns
nC
pF
单位
正向电压
(1)
反向恢复时间
注意事项:
(1 )脉冲测试: 300微秒的脉冲宽度, 1 %的占空比
( 2 )脉冲测试:脉冲宽度
40毫秒
热特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
参数
典型热阻
(1)
注意:
( 1 )自由的空气,安装在推荐的铜焊盘面积
符号
R
θJA
R
θJM
U1B
U1C
115
22
U1D
单位
° C / W
订购信息
(例)
首选的P / N
U1D-E3/61T
U1D-E3/5AT
单位重量(g )
0.064
0.064
首选包装代码
61T
5AT
基地数量
1800
7500
配送方式
直径7"塑料带和卷轴
直径13"塑料带和卷轴
额定值和特性曲线
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
1.2
1.0
D = 0.5
D = 0.8
平均正向电流( A)
1.0
平均功耗( W)
0.8
D = 0.3
D = 0.2
D = 1.0
0.8
0.6
D = 0.1
0.6
0.4
T
0.2
D =吨
p
/T
t
p
1.0
1.2
0.4
0.2
0
80
90
100
110
120
130
140
150
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
T
M
- 安装温度( ℃)
平均正向电流( A)
图1.正向降额曲线
图2.正向功率损耗特性
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2
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文档编号: 89065
修订: 13 08年5月
新产品
U1B , U1C & U1D
威世通用半导体
10
10
T
A
= 150 °C
正向电流(A )
1
T
A
= 125 °C
T
A
= 100 °C
0.1
T
A
= 25 °C
结Capactiance (PF )
T
J
= 25 °C
F = 1.0 MHz的
V
英镑
= 50 MVP -P
1
0.1
1
10
100
0.01
0.1
0.3
0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
正向
电压
(V)
反向
电压
(V)
图3.典型正向特性
图5.典型结电容
瞬态热阻抗( ℃/ W)
1000
100
结到环境
T
A
= 150 °C
瞬时反向电流( μA )
100
T
A
= 125 °C
T
A
= 100 °C
10
10
1
T
A
= 25 °C
0.1
0.01
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
1
0.001
0.01
0.1
1
10
100
百分比额定峰值反向
电压
(%)
吨 - 脉冲持续时间( S)
图4.典型的反向特性
图6.典型的瞬态热阻抗
包装外形尺寸
以英寸(毫米)
DO- 214AC ( SMA)的
阴极带
贴装焊盘布局
0.066 (1.68)
分钟。
0.074 (1.88)
马克斯。
0.065 (1.65)
0.049 (1.25)
0.110 (2.79)
0.100 (2.54)
0.177 (4.50)
0.157 (3.99)
0.012 (0.305)
0.006 (0.152)
0.060 (1.52)
分钟。
0.208 (5.28)
REF 。
0.090 (2.29)
0.078 (1.98)
0.060 (1.52)
0.030 (0.76)
0.008 (0.203)
0 (0)
0.208 (5.28)
0.194 (4.93)
文档编号: 89065
修订: 13 08年5月
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PDD-Americas@vishay.com , PDD-Asia@vishay.com , PDD-Europe@vishay.com
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3
法律免责声明
日前,Vishay
放弃
所有产品规格及数据如有更改,恕不另行通知。
日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,其附属公司,代理和员工以及代表及其或其各自的所有人
(统称为“Vishay ” ) ,对本文档中的任何错误,不准确或不完整不承担任何责任
或在任何其他公开内容有关的任何产品。
日前,Vishay不承担任何及由此产生的任何产品的使用或应用程序的所有责任本文中的任何或描述
本文提供的,在法律允许的最大范围内的信息。产品规格没有扩展或者
以其他方式修改Vishay的采购条款与条件,包括但不限于本文保修
其中,适用于这些产品。
没有许可证,明示或暗示,禁止反言或其他方式,向任何知识产权授予本
文档或任何Vishay的行为。
本文所展示的产品并非设计用于医疗,救生使用,或维持生命的应用程序,除非
另有明确指示。使用或销售Vishay产品的客户没有明确表示在这样的使用
应用这样做完全由自己承担风险,并同意全额赔偿日前,Vishay的产生或造成的任何损坏
从上述使用或销售。请Vishay授权人员联系,以获得有关书面条款和条件
产品专为此类应用。
产品名称及标记本文提到的可能是其各自所有者的商标。
文档编号: 91000
修订: 18 -JUL- 08
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1
新产品
U1B , U1C , U1D
威世通用半导体
表面贴装塑料超快整流器
特点
氧化物平面芯片结
超快恢复时间
低正向电压,低功率损耗
高正向浪涌能力
符合MSL等级1 ,符合per J -STD- 020的LF最大峰值
260 °C
DO- 214AC ( SMA)的
符合RoHS指令2002/95 / EC和
根据WEEE指令2002/96 / EC
根据IEC 61249-2-21定义的无卤素
典型应用
主要特征
I
F( AV )
V
RRM
I
FSM
t
rr
V
F
在我
F
= 1.0 A
T
J
马克斯。
1.0 A
100 V, 150 V, 200 V
30 A
15纳秒
0.76 V
150 °C
适用于低电压,切换高频整流用
电源供应器,续流二极管, DC / DC变换器或
极性保护应用程序。
机械数据
案例:
DO- 214AC ( SMA)的
塑封料符合UL 94 V - 0阻燃等级
底座P / N - M3 - 无卤素,符合RoHS标准,并
商业级
终端:
雾锡电镀引脚,焊
J- STD- 002和JESD 22 - B102
M3后缀符合JESD 201级1A晶须试验
极性:
颜色频带端为负极
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
参数
器件标识代码
最大重复峰值反向电压
最大正向平均整流电流(图1)
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷
工作结存储温度范围
V
RRM
I
F( AV )
I
FSM
T
J
, T
英镑
符号
U1B
U1B
100
U1C
U1C
150
1.0
30
- 55至+ 150
U1D
U1D
200
V
A
A
°C
单位
文档编号: 89400
修订: 19 -APR- 11
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DiodesAmericas@vishay.com , DiodesAsia@vishay.com , DiodesEurope@vishay.com
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本文如有更改,恕不另行通知。
本文所述产品及本文档受具体免责声明,所阐述
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新产品
U1B , U1C , U1D
威世通用半导体
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
参数
I
F
= 0.6 A
正向电压
I
F
= 1.0 A
I
F
= 0.6 A
I
F
= 1.0 A
反向电流
为V
R
I
F
= 0.5 A,I
R
= 1.0 A,
I
rr
= 0.25 A
反向恢复时间
I
F
= 0.6 A , di / dt的= 50 A / μs的,
V
R
= 30 V,I
rr
= 0.1 I
RM
I
F
= 0.6 A , di / dt的= 50 A / μs的,
V
R
= 30 V,I
rr
= 0.1 I
RM
4.0 V, 1 MHz的
测试条件
T
A
= 25 °C
V
F (1)
T
A
= 100 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 100 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 100 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 100 °C
Q
rr
C
J
t
rr
I
R (2)
符号
典型值。
0.82
0.87
0.71
0.76
-
55
-
24
29
7
13
6.8
马克斯。
0.87
0.92
0.78
0.84
5.0
100
15
-
-
-
-
-
nC
pF
ns
μA
V
单位
保管费用
典型结电容
笔记
(1)
脉冲试验: 300微秒的脉冲宽度, 1 %的占空比
(2)
脉冲测试:脉冲宽度
40毫秒
热特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
参数
典型热阻
(1)
自由的空气,安装在推荐的铜焊盘面积
符号
R
θJA
(1)
R
θJM
(1)
U1B
U1C
115
22
U1D
单位
° C / W
订购信息
(例)
首选的P / N
U1D-M3/61T
U1D-M3/5AT
单位重量(g )
0.064
0.064
首选包装代码
61T
5AT
基地数量
1800
7500
配送方式
直径7"塑料带和卷轴
直径13"塑料带和卷轴
额定值和特性曲线
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
1.2
1.0
D = 0.5
D = 0.8
平均正向电流( A)
1.0
平均功耗( W)
0.8
D = 0.3
D = 0.2
D = 1.0
0.8
0.6
D = 0.1
0.6
0.4
T
0.2
D =吨
p
/T
t
p
1.0
1.2
0.4
0.2
0
80
90
100
110
120
130
140
150
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
T
M
- 安装温度( ℃)
平均正向电流( A)
图。 1 - 前降额曲线
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图。 2 - 正向功率损耗特性
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新产品
U1B , U1C , U1D
威世通用半导体
10
10
T
A
= 150 °C
正向电流(A )
1
T
A
= 125 °C
T
A
= 100 °C
0.1
T
A
= 25 °C
结Capactiance (PF )
T
J
= 25 °C
F = 1.0 MHz的
V
SIG
= 50毫伏
p-p
1
0.1
1
10
100
0.01
0.1
0.3
0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
正向电压( V)
反向电压( V)
图。 3 - 典型的正向特性
图。 5 - 典型结电容
1000
100
瞬态热阻抗( ℃/ W)
瞬时反向电流( μA )
T
A
= 150 °C
100
T
A
= 125 °C
T
A
= 100 °C
10
结到环境
10
1
T
A
= 25 °C
0.1
0.01
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
1
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1999额定峰值反向电压百分比(% )
吨 - 脉冲持续时间( S)
图。 4 - 典型的反向特性
图。 6 - 典型的瞬态热阻抗
包装外形尺寸
以英寸(毫米)
DO- 214AC ( SMA)的
阴极带
贴装焊盘布局
0.066 (1.68)
分钟。
0.074 (1.88)
马克斯。
0.065 (1.65)
0.049 (1.25)
0.110 (2.79)
0.100 (2.54)
0.177 (4.50)
0.157 (3.99)
0.012 (0.305)
0.006 (0.152)
0.060 (1.52)
分钟。
0.208 (5.28)
REF 。
0.090 (2.29)
0.078 (1.98)
0.060 (1.52)
0.030 (0.76)
0.008 (0.203)
0 (0)
0.208 (5.28)
0.194 (4.93)
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日前,Vishay
放弃
全部产品,产品规格及数据如有更改,恕不另行通知,以改善
可靠性,功能,设计或其他原因。
日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,其附属公司,代理商和雇员,和所有代表及其或其各自的(统称个人,
“威世” ) ,包含在任何数据或任何其他的任何错误,不准确或不完整不承担任何责任
关于任何产品的披露。
日前,Vishay不就产品的适合任何特定用途或任何保证,声明或担保
继续生产的任何产品。在适用法律允许的最大范围内, Vishay不承担( i)任何及所有
责任所产生的任何产品的应用或使用, ( ii)任何及所有责任,包括但不限于特殊,
间接或附带损失,及(iii)任何和所有的暗示担保,包括适销性和针对特定担保
目的,非侵权及适销性。
关于产品的某些类型的应用程序的适用性声明是基于典型的Vishay的知识
的要求,常常放置在日前,Vishay产品一般应用。此类声明是没有约束力的声明
关于产品的适用于特殊应用。这是客户的责任,以验证一个特定的
产物用在产品说明书中描述的特性,适合于一个特定的应用。参数
数据手册和/或技术规格中提供可在不同的应用而异,而且性能可能随时间而变化。所有
工作参数,包括典型参数,必须为每个客户的应用受到了客户的验证
技术专家。产品规格不扩展或不以其他方式修改Vishay的采购条款与条件,
包括但不限于本文所述的保修。
除非书面注明,否则Vishay产品不用于医疗,救生或维持生命的应用
应用程序或任何其他应用程序中的Vishay产品发生故障有可能导致人身伤害或死亡。
使用或销售Vishay产品的客户没有明确表示在这样的应用中使用这样做在自己的风险,并同意
充分赔偿并日前,Vishay及其分销商,免受任何和所有索赔,债务,费用和
引起或导致此类使用或销售,包括律师费方面,即使此类索赔称,赔偿金威世
或其分销商是疏忽就部分的设计或制造。请与Vishay授权人员
获得关于产品设计的此类应用程序的书面条款和条件。
没有许可证,明示或暗示,禁止反言或其他方式,向任何知识产权授予本文档或
Vishay的任何行为。产品名称及标记本文提到的可能是其各自所有者的商标。
文档编号: 91000
修订: 11 -MAR- 11
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1
U1B U1M
表面贴装高效率整流
SOD-123FL
特点
玻璃钝化装置
适用于地表mouted应用
低反向漏
冶金结合建设
高温焊接保证:
250 ℃/ 10秒0.375
设计(9.5mm )引线长度,
5磅。 ( 2.3千克)张力
1.8± 0.1
阴极带
顶视图
2.8
±
0.1
1.3± 0.15
0.10-0.30
0.6
±
0.25
3.7
±
0.2
机械数据
案例:
JEDEC SOD- 123FL模压塑料车身超过钝化芯片
终端:
镀轴向引线,每MIL -STD -750焊接的,
方法2026
极性:
颜色频带端为负极
安装位置:
任何
重量: 0.0007
盎司, 0.02克
单位:毫米
最大额定值和电气特性
在25℃的环境温度额定值除非另有规定。
单相半波60赫兹,电阻或电感性负载,容性负载电流降额20% 。
符号
MDD产品目录号
最大重复峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
峰值正向浪涌电流
8.3ms单半正弦波叠加
额定负荷( JEDEC的方法)
最大正向电压at1.0A
反向电流最大DC
T
A
=25 C
在额定阻断电压DC
T
A
=100 C
最大反向恢复时间(注1 )
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
(AV)
U1B
U1D
U1F
U1G
U1J
U1K
U1M
单位
AMP
100
70
100
200
140
200
300
210
300
400
280
400
1.0
600
420
600
800
560
800
1000
700
1000
I
FSM
V
F
I
R
TRR
50
1.0
1.4
25.0
1.7
安培
A
75
ns
K / W
C
5.0
100.0
180
-50至+150
典型热阻
R
θ
JA
工作结温和存储温度范围T
J
,
T
英镑
注意:
1.Measured与IF = 0.5A , IR = 1A , IRR = 0.25A 。
lizhenhui MB : + 86-13537087568电邮: dgjifu@qq.com
1.0±
0.2
U1B~U1M
正向平均整流电流,
安培
图。 1正向电流降额曲线
图。 2 ,最大非重复峰值正向
浪涌电流
峰值正向浪涌电流,
安培
30
8.3ms单半正弦波
( JEDEC的方法)
1.0
25
0.8
20
0.6
15
0.4
单相
半波60Hz的
电阻或
感性负载
10
0.2
5.0
0
0
25
50
75
100
125
150
175
0
1
10
100
循环次数在60赫兹
环境温度,C
瞬时反向电流,
微安
图。 3 ,典型正向
特征
图。 4 ,典型的反向特性
1,000
正向
当前,安培
20
10
T
J
=25 C
脉冲宽度= 300
s
1 %占空比
100
1
TJ = 100℃
10
0.1
U1B-U1D
U1G
U1J-U1M
0.2
0.6
1.0
1.4
1.8
2.0
1
TJ = 25℃
0.1
0.01
0.01
0
20
40
60
80
100
正向电压,
百分之峰值反向电压, %
lizhenhui MB : + 86-13537087568电邮: dgjifu@qq.com
数据表
半导体
U1A直通U1M
表面贴装超快整流器
反向电压
50 1000V
正向电流
1.0A
SMF
单位:英寸(毫米)
0.195 ( 0.9 )典型
特点
塑料包装了美国保险商实验室
易燃性分类科幻阳离子94V- 0
·对于表面安装应用程序
玻璃钝化芯片路口
薄型封装
易于取放
超快恢复时间的高效率
低正向电压,低功耗
·内置应变救灾,非常适于自动贴片
高温焊接保证:
250 ℃/ 10秒的终端
(0.189)4.8
(0.173)4.4
5
0.22
0.15
(0.052)1.3
(0.043)1.1
5
Z
机械数据
案例:
JEDEC DO- 214AC模压塑料车身超过
钝化芯片
终端:
焊接镀,每焊
MIL- STD- 750 ,方法2026
极性:
颜色频带端为负极
重量:
0.002盎司, 0.064克
详细信息
Z
扩大
阴极带
顶视图
0.110(2.8)
0.095(2.4)
1.43
1.38
0.10最大
3.6
3.2
最大额定值&热特性
参数
最大重复峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流在T
L
= 110°C
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷( JEDEC的方法)
最大热阻
(1)
工作和存储温度范围
符号
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F( AV )
I
FSM
R
θJA
R
θJL
T
J
, T
英镑
U1A
50
35
50
在25 ° C环境温度额定值除非另有规定。
U1B
100
70
100
U1D
200
140
200
U1G
400
280
400
1.0
30
75
27
U1J
600
420
600
U1K
800
560
800
U1M
1000
700
1000
单位
V
V
V
A
A
° C / W
°C
-55到+150
电气特性
反向电流最大DC
在额定阻断电压DC
最大反向恢复时间
在我
F
= 0.5A ,我
R
= 1.0A ,我
rr
= 0.25A
在4.0V , 1MHz的典型结电容
在25 ° C环境温度额定值除非另有规定。
在1.0A最大正向电压
T
A
= 25°C
T
A
=100°C
V
F
I
R
t
rr
C
J
1.0
10
50
50
15
1.7
V
A
75
10
ns
pF
注意事项:
(1) P.C.B.安装在0.2× 0.2 “ ( 5.0× 5.0毫米)铜焊盘面积
http://www.yeashin.com
1
REV.02 20110725
额定值和特性曲线
U1A直通U1M
正向电流降额曲线
1.2
30
负载电阻或电感
最大非重复峰值
正向浪涌电流
峰值正向浪涌电流( A)
T
L
= 110°C
8.3ms单半正弦波
( JEDEC的方法)
正向平均整流电流( A)
1.0
25
0.8
0.6
0.4
0.2
0.2× 0.2" ( 5.0× 5.0毫米)
铜焊盘区
0
25
50
75
100
125
150
20
15
10
5
0
0
1
10
100
铅温度( ℃)
周期数的AT 60 H
Z
典型瞬时
正向特性
I
F
- 正向电流(A )
10
U1A - U1G
100
典型的反向特性
I
R
- 瞬时反向
漏电流(mA )
U1J - U1M
1
T
J
= 150°C
10
125°C
100°C
1
25°C
0.1
0.1
0.01
脉冲宽度= 300μS
1 %占空比
T
J
= 25°C
0.001
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
0.01
0
20
40
60
80
100
正向电压( V)
1999额定峰值反向电压百分比(% )
典型结电容
100
100
典型瞬态
热阻抗
瞬态热阻抗( ℃/ W)
PF - 结电容
U1A - U1G
T
J
= 25°C
F = 1.0 MH
Z
V
SIG
= 50mVp -P
10
10
U1J - U1M
1
1
0.1
1
10
100
0.1
0.01
0.1
1
10
100
反向电压( V)
吨 - 脉冲持续时间(秒)。
http://www.yeashin.com
2
REV.02 20110725
U1B
表面贴装塑料超快整流器
特点
氧化物平面芯片结
超快恢复时间
低正向电压,低功率损耗
高正向浪涌能力
符合MSL等级1 ,符合per J -STD- 020 , LF最大
260℃峰值
浸焊260 ° C, 40秒
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
THRU U1D
100V-200V
1.0A
机械数据
氧化物平面芯片结
超快恢复时间
低正向电压,低功率损耗
高正向浪涌能力
符合MSL等级1 ,符合per J -STD -020 , 260℃ LF最大峰值
浸焊260 ° C, 40秒
按照RoHS 2002/95 / EC和WEEE 2002/96 / EC组件
最大额定值和电气特性
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
参数
器件标识代码
最大重复峰值反向电压
最大正向平均整流电流(图1)
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷
工作结存储温度范围
V
RRM
I
F( AV )
I
FSM
T
J
, T
英镑
符号
U1B
U1B
100
U1C
U1C
150
1.0
30
- 55至+ 150
U1D
U1D
200
V
A
A
°C
单位
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
参数
I
F
= 0.6 A
I
F
= 1.0 A
I
F
= 0.6 A
I
F
= 1.0 A
反向电流
(2)
为V
R
I
F
= 0.5 A,I
R
= 1.0 A,
I
rr
= 0.25 A
I
F
= 0.6 A , di / dt的= 50 A / μs的,
V
R
= 30 V,I
rr
= 0.1 I
RM
保管费用
典型结电容
I
F
= 0.6 A , di / dt的= 50 A / μs的,
V
R
= 30 V,I
rr
= 0.1 I
RM
4.0 V, 1 MHz的
测试条件
T
A
= 25 °C
V
F
T
A
= 100 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 100 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 100 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 100 °C
I
R
t
rr
t
rr
Q
rr
C
J
符号
典型值。
0.82
0.87
0.71
0.76
-
55
-
24
29
7
13
6.8
马克斯。
0.87
0.92
V
0.78
0.84
5.0
100
15
-
-
-
-
-
A
ns
ns
nC
pF
单位
正向电压
(1)
反向恢复时间
电子信箱: sales@taychipst.com
1 2
网站: www.taychipst.com
U1B
表面贴装塑料超快整流器
收视率和特性曲线
1.2
1.0
THRU U1D
100V-200V
1.0A
U1B THRU U1D
D = 0.5
D = 0.8
平均正向电流( A)
1.0
平均功耗( W)
0.8
D = 0.3
D = 0.2
D = 1.0
0.8
0.6
D = 0.1
0.6
0.4
T
0.2
D =吨
p
/T
t
p
1.0
1.2
0.4
0.2
0
80
90
100
110
120
130
140
150
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
T
M
- 安装温度( ℃)
平均正向电流( A)
图1.正向降额曲线
图2.正向功率损耗特性
10
10
T
A
= 150 °C
正向电流(A )
1
T
A
= 125 °C
T
A
= 100 °C
0.1
T
A
= 25 °C
结Capactiance (PF )
T
J
= 25 °C
F = 1.0 MHz的
V
英镑
= 50 MVP -P
1
0.1
1
10
100
0.01
0.1
0.3
0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
正向
电压
(V)
反向
电压
(V)
图3.典型正向特性
图5.典型结电容
瞬态热阻抗( ℃/ W)
1000
100
结到环境
T
A
= 150 °C
瞬时反向电流( μA )
100
T
A
= 125 °C
T
A
= 100 °C
10
10
1
T
A
= 25 °C
0.1
0.01
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
1
0.001
0.01
0.1
1
10
100
百分比额定峰值反向
电压
(%)
吨 - 脉冲持续时间( S)
图4.典型的反向特性
图6.典型的瞬态热阻抗
电子信箱: sales@taychipst.com
2 2
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    电话:0755-23063133/23042311
    联系人:谭小姐
    地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场58层5808室

    u1d
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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    电话:755-83241160(高端器件渠道商)/83950019/83950895/83950890
    联系人:Sante Zhang/Mollie
    地址:總部地址:UNIT D18 3/FWONG KING INDUSTRIAL BUILDINGNO.2-4 TAI YAU STREETKL
    深圳地址:深圳市龍崗區坂田街道永香路創匯

    u1d
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋316室

    u1d
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:19166203057
联系人:周
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u1d
M/A-COM
21+
16500
原厂原包装
原装正品
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电话:0755-82533156 82710336
联系人:朱经理、张小姐
地址:深圳市福田区华强北上步工业区501栋11楼1109-1110室
u1d
M/A-COM
19+
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电话:0755-82563615/82563213
联系人:朱先生/王小姐
地址:深圳华强北上步204栋520室
u1d
MINI
2322+
1175
射频微波器件
mini原装正品!
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电话:0755-28013727
联系人:朱先生
地址:深圳市龙华区龙华街道清华社区和平路62号优鼎企创园办公楼C栋5层502
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百分百原装现货,实单可谈!
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联系人:李小姐
地址:深圳市宝安区河东工业区A栋313-318
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MACOM
22+
32570
SOP16
进口原装公司现货
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电话:0755-83376489 83376282 83376549 83600718
联系人:销售部
地址:广东省深圳市深圳南山区科技园产学研楼706
u1d
M/A-COM
23+
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1000¥/片,普通
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电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
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32570
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全新原装正品/质量有保证
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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22+
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全新原装正品/质量有保证
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联系人:曾小姐
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u1d
M/A-COM
23+
12556
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