数据表
MOS集成电路
PD45128163-I
128M位同步DRAM
4银行， LVTTL
WTR （宽温度范围）
描述
该
PD45128163是高速134217728位的同步动态随机存取存储器，组织为
2,097,152
×
16
×
4 （字
×
位
×
银行） 。
同步DRAM实现使用流水线架构的高速数据传输。
所有输入和输出都与时钟的上升沿同步。
同步DRAM是低电压TTL （ LVTTL ）兼容。
该产品被包装在54针TSOP （ II ） 。
特点
完全同步动态RAM中，具有所有信号参考一个时钟上升沿
脉冲接口
可以断言随机列地址在每个周期中
由BA0 （ A13）和BA1控制四内部银行（ A12 ）
通过LDQM和UDQM字节控制
可编程的缠绕顺序（顺序/交织）
可编程的突发长度（1， 2 ，4，8和全页）
可编程/ CAS等待时间（ 2和3）
环境温度（T
A
):
40
至+ 85°C
自动预充电和预充电控制
CBR （自动）刷新和自刷新
×16
组织
采用3.3 V单
±
0.3 V电源
LVTTL兼容的输入和输出
4096刷新周期/ 64毫秒
突发终止突发停止命令和预充电命令
本文档中的信息如有更改，恕不另行通知。使用本文档，请前
证实，这是最新版本。
不是所有的设备/类型在每个国家都可用。请与当地的尔必达内存公司的检查
供应及其他信息。
一号文件E0346N10 （ 1.0版本）
发布日期2003年2月（K ）日本
网址： http://www.elpida.com
Elpida
内存方面，公司2003
尔必达内存公司是NEC公司与日立公司合资的DRAM公司
PD45128163-I
销刀豆网络gurations
/ xxx表示低电平有效的信号。
54引脚塑料TSOP （ II ）
2M的话
×
16位
×
4银行
V
CC
DQ0
V
CC
Q
DQ1
DQ2
V
SS
Q
DQ3
DQ4
V
CC
Q
DQ5
DQ6
V
SS
Q
DQ7
V
CC
LDQM
/ WE
/ CAS
/ RAS
/ CS
BA0(A13)
BA1(A12)
A10
A0
A1
A2
A3
V
CC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
VSS
DQ15
VSSQ
DQ14
DQ13
VCCQ
DQ12
DQ11
VSSQ
DQ10
DQ9
VCCQ
DQ8
VSS
NC
UDQM
CLK
CKE
NC
A11
A9
A8
A7
A6
A5
A4
VSS
A0到A11
记
：地址输入
：数据输入/输出
：时钟输入
：时钟使能
：片选
：行地址选通
：列地址选通
：写使能
：下DQ掩膜启用
：上DQ掩膜启用
：电源电压
：地面
：电源电压为DQ
：接地DQ
：无连接
数据表E0346N10 （版本1.0 ）
BA0 （ A13 ） ， BA1 （ A12 ） ：银行选择
DQ0到DQ15
CLK
CKE
/ CS
/ RAS
/ CAS
/ WE
LDQM
UDQM
V
CC
V
SS
V
CC
Q
V
SS
Q
NC
4
记
A0到A11 ：行地址输入
A0到A8 ：列地址输入
