东芝
TB62731FU
东芝BICD集成电路硅单片
TB62731FU
加强的DC-DC转换器，用于LED的
特点
新的驱动器集成了一个脉冲电流驱动方式的提出
效率超过90 ％ ，同时驱动多达6个白光LED以串行
连接。
在直流驱动方式的白光LED可被驱动以非常
噪音低，效率高于85 ％ 。
该TB62731FU采用双镉（ BICD ）工艺技术。这
SOT23 6PIN
新的方法允许在外部元件的减少
算，因此降低了成本并提高了电池寿命。
新开发的温度降额技术预测的环境温度，包括热
从驱动IC本身的散热，并调节电流，以优化发光。
超小型6引脚SOT23封装。
驾驶能力的所有波长和材料。
+ 3.0V至+ 5.5V电源电压
可调输出电流（高达320MW的输出功率） 20毫安驱动电流可以供应LED灯带
16V总Vf的
内部开关MOSFET （ 1.5欧姆典型值）
关机功能
东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。然而，在一般的半导体器件可能发生故障或由于故障
其固有的电气敏感性和脆弱性生理上的压力。它是利用东芝产品时买家的责任，以符合
安全的在制造安全设计为整个系统，并且避免情况，其中这样东芝产品的故障或失灵会导致标准
生命损失，人身伤害或财产损失。
在开发设计时，请确保东芝产品在规定的工作范围作为在最近的东芝产品的规定
规格。另外，请记住列明中的注意事项和条件“操作指南半导体器件”或“TOSHIBA
半导体可靠性手册“等。
本文档中列出的东芝产品用于使用一般的电子应用（计算机，个人设备，办公设备，
测量设备，工业机器人，家用电器等） 。这些东芝的产品既不打算也不保证设备的使用情况
需要非常高的品质和/或可靠性或故障或故障可能导致人的生命或身体伤害（ “意外用法” ）的损失。
意想不到的用法包括原子能控制仪表，飞机或太空船仪器，运输仪器，交通信号仪器，
燃烧控制仪器，医疗仪器，各类安全装置等东芝产品的非预期使用本文件中列出的应
在客户自己的风险进行。
本文档中介绍的产品都受到外汇和外国贸易法。
此处包含的信息仅显示为对我们产品的应用指南。承担任何责任东芝公司的
知识产权或第三方，可能导致其使用的其他权利的任何侵犯。没有获发牌照以暗示或以其他方式
任何知识产权或东芝或他人的其他权利。
可从：
Marktech光电
120百老汇 Menands ，NY 12203
800.984.5337传真： 518.432.7454
网址：
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电子邮件：
info@marktechopto.com
此处所包含的信息如有更改，恕不另行通知。
东芝
框图
V
CC
4
TB62731FU
A
6
OSC
S
R
Q
司机
SHDN
3
机顶盒
E
0.11V
R_LIM
0.5欧姆
K
REF
A
1
5
2
GND
GND
引脚分配
针
号
1
2,5
3
4
6
符号
K
GND
SHDN
VCC
A
功能
反馈输入引脚。
连接到外部LED驱动电流检测电阻（ R_sens ） 。
接地引脚
活跃的“低” ，关断控制输入引脚。
TB72731FU分为关断模式下，当SHDN = 1。
电源电压输入引脚。
该旁路引脚电容到地尽可能靠近设备越好。
开关引脚。
电感器连接至内部N沟道MOSFET的漏极。
这两个GND引脚都必须连接到外部接地。
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东芝
绝对最大额定值（Ta = 25 ° C）
参数
电源电压
输入电压
阳极电流
阳极电压
功耗
饱和热阻
工作温度范围
存储温度范围
结温
<Note>
* 1 ：减免3.8mW / ° C以上+ 25°C
符号
VCC
VIN
I（A ）
V（A）
Pd
Rth(j-a)1
Rth(j-a)1
TOPR
TSTG
Tj
等级
-0.3 ~ +6.0
-0.3 VCC + 0.3V
300
-0.3~+30
0.41
0.47
300
260*
1
-40 ~ 85
40 ~ +150
+125
单位
V
V
mA
V
W
° C / W
°C
°C
°C
TB62731FU
电气特性
(V
CC
= 3.0V 5.5V ，TA = + 25 ° C，除非另有说明。 ）
参数
符号
测试条件
电源电压
VCC
电源电流
ICC（上）
VCC=3.6V
静态电流
ICC （ SHDN ）
SHDN = GND
SHDN输入电流
I_SHDN
SHDN = VCC
内部MOSFET
I（A ） = 220毫安以下，
罗恩
包括R_lim
导通电阻
阳极电压
V（A）
阳极电流
I（A ）
阳极泄漏电流
IOZ （ A）
SHDN = GND
LED电流（平均值）
IO（ K）
R_sens = 1.8欧姆
Io(K)=20mA,
降额功能
TDER
Ta=25°C
开始温度
分钟。
3.0
典型值。
600
4.2
2.0
马克斯。
5.5
900
0.5
7
2.5
30
220
0.5
20*
1
(45)*
2
1
22*
1
单位
V
uA
uA
uA
欧姆
V
mA
uA
mA
18*
1
°C
<Note>
* 1 ：请参阅“ LED的身影
电流与反馈电阻“
* 2 ：括号中的说明，未经测试。对于设计而言，电流降额应
被认为开始于TJ = 45 ℃。
可从：
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典型性能特性
的SuI P P LY ú 重新 T·V·S 。的SuI P P LY V LTA克é
（N R M A L P·E R A TIO N ）
TB62731FU
900
VCC
800
ICC（ ON）（微安）
700
600
500
400
3
3 .5
4
4 .5
5
5 .5
V C C （V ）
s提高P LY urre NT VS 。 s提高P LY V LTA克é
（S hutd W N M O对D E ）
0 .5
0 .4
ICC （ SHDN ） （ UA）
0 .3
0 .2
4
1
3
6
TB62731FU
2
5
VCC
4
1
3
6
TB62731FU
2
5
0 .1
0
3
3 .5
4
4 .5
5
5 .5
V C C （V ）
开关频率与电源电压
400
VCC
380
FS（千赫）
360
340
320
300
3
3.5
4
4.5
5
5.5
工作电压（V ）
1
4
3
6
监视
TB62731FU
2
5
可从：
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操作说明
TB62731FU
TB62731FU是采用电压反馈的综合控制方案中的脉冲跳跃转换器
环和电流限制反馈环路操作恒定的LED驱动电流。操作可以很容易
理解指的是框图和开关波形。
内部MOSFET导通时，放大器A检测，在R_sens平均电压较低的
比REF水平。的N沟道MOSFET撑“接通” ，直到开关电流的峰值
到达220毫安（典型值） ，或振荡器，在其最大占空比（ 83.3 ％ ）会自动将其关闭。一旦
关断时，MOSFET在关断时保持关闭。随后，如果R_sens电压仍然低
超过参考电平，另一开关周期被启动。否则，内部MOSFET保持关
关，只要平均R_sens电压比参考电平高。
[关断模式]
该TB62731FU分为关断模式下，当SHDN = “ L” 。在关断模式下，基准，控制
电路，振荡器和内部开关MOSFET停止，电流消耗降低
下面0.5uA的。 SHDN接“ VCC ”的正常运行。
开关波形示意图
V（A）
感应器
当前
220毫安
I（A ）
LED
当前
平均
当前
FS = 360千赫
预设的LED电流水平
OSC
on-duty(max)=83.3%
可从：
Marktech光电
120百老汇 Menands ，NY 12203
800.984.5337传真： 518.432.7454
网址：
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电子邮件：
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加强的DC-DC转换器，用于LED的
特点
新的驱动器集成了一个脉冲电流驱动方式的提出
效率超过90 ％ ，同时驱动多达6个白光LED以串行
连接。
在直流驱动方式的白光LED可被驱动以非常
噪音低，效率高于85 ％ 。
该TB62731FU采用双镉（ BICD ）工艺技术。这
SOT23 6PIN
新的方法允许在外部元件的减少
算，因此降低了成本并提高了电池寿命。
新开发的温度降额技术预测的环境温度，包括热
从驱动IC本身的散热，并调节电流，以优化发光。
超小型6引脚SOT23封装。
驾驶能力的所有波长和材料。
+ 3.0V至+ 5.5V电源电压
可调输出电流（高达320MW的输出功率） 20毫安驱动电流可以供应LED灯带
16V总Vf的
内部开关MOSFET （ 1.5欧姆典型值）
关机功能
东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。然而，在一般的半导体器件可能发生故障或由于故障
其固有的电气敏感性和脆弱性生理上的压力。它是利用东芝产品时买家的责任，以符合
安全的在制造安全设计为整个系统，并且避免情况，其中这样东芝产品的故障或失灵会导致标准
生命损失，人身伤害或财产损失。
在开发设计时，请确保东芝产品在规定的工作范围作为在最近的东芝产品的规定
规格。另外，请记住列明中的注意事项和条件“操作指南半导体器件”或“TOSHIBA
半导体可靠性手册“等。
本文档中列出的东芝产品用于使用一般的电子应用（计算机，个人设备，办公设备，
测量设备，工业机器人，家用电器等） 。这些东芝的产品既不打算也不保证设备的使用情况
需要非常高的品质和/或可靠性或故障或故障可能导致人的生命或身体伤害（ “意外用法” ）的损失。
意想不到的用法包括原子能控制仪表，飞机或太空船仪器，运输仪器，交通信号仪器，
燃烧控制仪器，医疗仪器，各类安全装置等东芝产品的非预期使用本文件中列出的应
在客户自己的风险进行。
本文档中介绍的产品都受到外汇和外国贸易法。
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知识产权或第三方，可能导致其使用的其他权利的任何侵犯。没有获发牌照以暗示或以其他方式
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框图
V
CC
4
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A
6
OSC
S
R
Q
司机
SHDN
3
机顶盒
E
0.11V
R_LIM
0.5欧姆
K
REF
A
1
5
2
GND
GND
引脚分配
针
号
1
2,5
3
4
6
符号
K
GND
SHDN
VCC
A
功能
反馈输入引脚。
连接到外部LED驱动电流检测电阻（ R_sens ） 。
接地引脚
活跃的“低” ，关断控制输入引脚。
TB72731FU分为关断模式下，当SHDN = 1。
电源电压输入引脚。
该旁路引脚电容到地尽可能靠近设备越好。
开关引脚。
电感器连接至内部N沟道MOSFET的漏极。
这两个GND引脚都必须连接到外部接地。
可从：
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绝对最大额定值（Ta = 25 ° C）
参数
电源电压
输入电压
阳极电流
阳极电压
功耗
饱和热阻
工作温度范围
存储温度范围
结温
<Note>
* 1 ：减免3.8mW / ° C以上+ 25°C
符号
VCC
VIN
I（A ）
V（A）
Pd
Rth(j-a)1
Rth(j-a)1
TOPR
TSTG
Tj
等级
-0.3 ~ +6.0
-0.3 VCC + 0.3V
300
-0.3~+30
0.41
0.47
300
260*
1
-40 ~ 85
40 ~ +150
+125
单位
V
V
mA
V
W
° C / W
°C
°C
°C
TB62731FU
电气特性
(V
CC
= 3.0V 5.5V ，TA = + 25 ° C，除非另有说明。 ）
参数
符号
测试条件
电源电压
VCC
电源电流
ICC（上）
VCC=3.6V
静态电流
ICC （ SHDN ）
SHDN = GND
SHDN输入电流
I_SHDN
SHDN = VCC
内部MOSFET
I（A ） = 220毫安以下，
罗恩
包括R_lim
导通电阻
阳极电压
V（A）
阳极电流
I（A ）
阳极泄漏电流
IOZ （ A）
SHDN = GND
LED电流（平均值）
IO（ K）
R_sens = 1.8欧姆
Io(K)=20mA,
降额功能
TDER
Ta=25°C
开始温度
分钟。
3.0
典型值。
600
4.2
2.0
马克斯。
5.5
900
0.5
7
2.5
30
220
0.5
20*
1
(45)*
2
1
22*
1
单位
V
uA
uA
uA
欧姆
V
mA
uA
mA
18*
1
°C
<Note>
* 1 ：请参阅“ LED的身影
电流与反馈电阻“
* 2 ：括号中的说明，未经测试。对于设计而言，电流降额应
被认为开始于TJ = 45 ℃。
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典型性能特性
的SuI P P LY ú 重新 T·V·S 。的SuI P P LY V LTA克é
（N R M A L P·E R A TIO N ）
TB62731FU
900
VCC
800
ICC（ ON）（微安）
700
600
500
400
3
3 .5
4
4 .5
5
5 .5
V C C （V ）
s提高P LY urre NT VS 。 s提高P LY V LTA克é
（S hutd W N M O对D E ）
0 .5
0 .4
ICC （ SHDN ） （ UA）
0 .3
0 .2
4
1
3
6
TB62731FU
2
5
VCC
4
1
3
6
TB62731FU
2
5
0 .1
0
3
3 .5
4
4 .5
5
5 .5
V C C （V ）
开关频率与电源电压
400
VCC
380
FS（千赫）
360
340
320
300
3
3.5
4
4.5
5
5.5
工作电压（V ）
1
4
3
6
监视
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2
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环和电流限制反馈环路操作恒定的LED驱动电流。操作可以很容易
理解指的是框图和开关波形。
内部MOSFET导通时，放大器A检测，在R_sens平均电压较低的
比REF水平。的N沟道MOSFET撑“接通” ，直到开关电流的峰值
到达220毫安（典型值） ，或振荡器，在其最大占空比（ 83.3 ％ ）会自动将其关闭。一旦
关断时，MOSFET在关断时保持关闭。随后，如果R_sens电压仍然低
超过参考电平，另一开关周期被启动。否则，内部MOSFET保持关
关，只要平均R_sens电压比参考电平高。
[关断模式]
该TB62731FU分为关断模式下，当SHDN = “ L” 。在关断模式下，基准，控制
电路，振荡器和内部开关MOSFET停止，电流消耗降低
下面0.5uA的。 SHDN接“ VCC ”的正常运行。
开关波形示意图
V（A）
感应器
当前
220毫安
I（A ）
LED
当前
平均
当前
FS = 360千赫
预设的LED电流水平
OSC
on-duty(max)=83.3%
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