LTC4252-1/LTC4252-2
LTC4252A-1/LTC4252A-2
应用信息
60
补偿电容C
C
（ NF）
NTY100N10
50
检测电阻器
40
30
20
10
0
0
2000
6000
4000
MOSFET
国际空间站
（PF ）
8000
425212 F07
电流
与负载
电流
TO -48V背板
履带宽度W：
0.03"每安培
ON 1盎司纯铜
IRF540S
IRF3710
W
425212 F08
IRF530S
IRF740
TO
SENSE
TO
V
EE
图8.制作PCB连接到检测电阻
图7.推荐赔偿
电容C
C
VS MOSFET
国际空间站
正如图6以前，在一个短的发作
电路时，输入电源电压可以大幅度环
由于串联电感。如果这个电压雪崩
的MOSFET ，电流继续流过MOSFET
到输出端。模拟电流限制回路无法控制
该电流的流动，因此，在循环下冲。这
效果不能由频率补偿来消除。一
齐纳二极管，需要以夹紧输入电源电压
并防止MOSFET的雪崩。
检测电阻的注意事项
对于正确的操作断路器， Kelvin检测PCB CON-
检测电阻和LTC4252的V之间nections
EE
和SENSE引脚强烈推荐。在绘图
图8显示在连接的正确方法
该LTC4252和检测电阻之间。 PCB布局
应该是平衡和对称，尽量减少连线
错误。此外，检测电阻的PCB布局
应该包括良好的热管理技术
最佳的感测电阻的功耗。
时序波形
系统上电
图9详细说明了时序波形为典型的加电
了已经安装了一个板，其中序列中的情况下，
在背板和系统电源立即启动。在
时间点1 ，供给斜升，具有欠压/过压在一起，
V
OUT
沥干。 V
IN
和
PWRGD
遵循以较慢的速度
由V作为集
IN
旁路电容。在时间点2，V
IN
超过V
LKO
与内部逻辑检查紫外线> V
UVHI
,
OV < V
OVLO
， GATE < V
GATEL
， SENSE < V
CB
， SS < 20 V
OS
和定时器< V
TMRL
。如果所有条件都满足时，初始
时间周期开始和TIMER电容充电
由5.8μA电流源上拉。在时间点3 ，定时器
到达V
TMRH
阈值和所述初始定时周期
终止。定时器电容器快速放电。在
时间点4 ，在V
TMRL
达到阈值和条件
GATE < V的系统蒸发散
GATEL
， SENSE < V
CB
和SS < 20 V
OS
必须满足一个门的斜坡上升周期开始之前。
SS斜了作为决定由R
SS
C
SS
（如在等式6 ） ;
GATE保持为低电平模拟电流限制（ ACL）扩增
费里，直到SS跨越20 V
OS
。当释放GATE ， 58μA
源到外部MOSFET的栅极和补偿
网络。当门电压达到MOSFET的
阈值时，电流开始流进负载电容器
在时间点5，在时间点如图6所示，负载电流达到
SS控制水平和模拟电流限制环路激活。
时间点6和8之间，栅极电压为servoed ，
将SENSE电压被限制在V
ACL
（t）的（公式7）和
软启动限制了负载电流的压摆率。如果
SENSE电压（V
SENSE
– V
EE
）达到V
CB
门槛
在时间点7时，断路器定时器激活。该
TIMER电容C
T
，是由（ 230μA + 8 我充电
DRN
)
目前的上拉。当负载电容接近满充电，
负载电流开始下降。
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