LTC4252-1/LTC4252-2
LTC4252A-1/LTC4252A-2
应用信息
并消除电流尖峰的插入。大外部
栅极 - 源极电容因此，不需要为目的
补偿的C
GD
。相反，较小的值（ ≥ 10nF的）
电容C
C
是足够的。
C
还提供赔偿
为模拟电流限制回路。
门有两个比较器：低栅比较
查找< 0.5V阈值之前，初始定时或门
启动周期;高栅比较查找< 2.8V
相对于V
IN
并与排水低compara-在一起
器，套
PWRGD
在GATE启动状态。
SENSE
SENSE引脚是由断路器监控（ CB ）
比较器，将模拟电流限制（ACL）的放大器和
快速电流限制（ FCL）比较。这三个的
测量相对于V SENSE的潜力
EE
。当
SENSE超过50mV时， CB比较激活
230μA定时器上拉。在为100mV （ 60mV的为LTC4252A ）
ACL的伺服放大器， MOSFET的电流，并在
200mV的，整箱比较突然拉GATE低
为了使MOSFET的电流受到控制。如果
任何这些条件持续足够长的时间定时器
充电
T
到4V （见公式3） ，所述启闭LTC4252
下来，拉GATE低。
如果SENSE引脚遇到比V的电压较大
ACL
,
ACL的放大器将企图伺服门向下
来控制MOSFET的电流。由于GATE过度驱动
MOSFET在正常操作中，ACL放大器需要时间
到门排出到MOSFET的阈值。对于
轻度过载的ACL放大器可以控制MOSFET
电流，但在严重的情况下过载电流
可能过冲。在SENSE = 200mV的整箱比较
接管，快速放电GATE引脚附近V
EE
势。整箱然后释放和ACL放大器需要
过。所有的定时器运行的时间。整箱的效果是
添加到有利于控制环中的非线性响应
对降低MOSFET的电流。
由于电感效应的系统，整箱通常
overcorrects限流环和GATE下冲。
中环（电阻R零
C
串联在栅极钙
pacitor ）有助于ACL放大器恢复。
短路操作
从负载侧的低阻抗电路所产生的行为
短示于图6的LTC4252 。最初，该
电流过冲V的快速电流限制水平
SENSE
=
为200mV （跟踪2） GATE引脚工作带来V
GS
下
控制（跟踪3 ） 。尖峰毛刺背板
在负方向上并且当电流减小
至100mV / R
S
中，背板响应由毛刺在
正方向。
定时器开始充电
T
（痕量4 ），而模拟
电流限制环路保持故障电流时为100mV / R
S
,
在这种情况下为5A （痕量2）。注意，该背板
电压（跟踪1）根据负荷骤降。定时拉是AC-
用V celerated
OUT
。当C
T
达到4V ，门关闭，
PWRGD
被拉至高电平时，负载电流下降到零，并在
背板戒指最多不超过100V 。相关的瞬态
与门关闭可以与一个缓冲器被控制
减少振铃和瞬变电压抑制器（如
二极管公司SMAT70A ）夹断大的尖峰。选择
RC的缓冲通常做实验。该
缓冲电容器的值之间，通常选择
10至100倍的MOSFET的
OSS
。该snub-的价值
BER电阻通常为3Ω到100Ω之间。
供给环因
电流过冲
–48RTN
50V/DIV
供给环因
MOSFET关闭
输出短路ONSET
SENSE
200mV/DIV
门
10V/DIV
定时器
5V/DIV
快速电流限制
模拟电流限值
C
定时器
RAMP闭锁
0.5ms/DIV
425212 F06
LTC4252图6.输出短路特性
425212fd
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