LTC4274
应用信息
V
DD
提供电源的大部分LTC4274内部电路：
cuitry ，并提请最大为3mA 。陶瓷去耦
至少0.1μF的上限应放置在V
DD
到DGND ，
尽可能靠近每个LTC4274芯片。
图16示出了三组分低压降稳压器
向DGND从负所产生的负电源
V
EE
供应量。 V
DD
被绑定到AGND和DGND为负
参考AGND 。该稳压器驱动一个LTC4274
装置。在图17中， DGND被绑定到AGND在这提振
对于正的V转换器电路
DD
上述供应3.3V的
AGND 。该电路可驱动多个LTC4274器件
和光电耦合器。
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
0
10
30
40
20
PD电压（ V）
50
60
4274 F16
V
EE
是提供电源给PD的主要电源。
因为它提供了一个相对大的功率量和
受显著的瞬态电流，它需要更多的
设计关怀不是一个简单的逻辑电源。最低IR
损失和最佳的系统效率，设置V
EE
接近最大
振幅（ 57V ） ，留出足够的裕量，以占
瞬态过冲或温度漂移，以及
特殊电源的行规规范使用。
AGND和V之间的旁路电容
EE
很祁门功夫，功夫
坦进行可靠操作。如果发生在短路
输出端口也可以，只要是需要1μs的为LTC4274以
开始调节电流。在此期间，在当前
是由小的阻抗电路中的唯一的限制和
高的电流峰值，通常会发生，从而引起电压
短暂的V
EE
供应和可能导致的
LTC4274复位由于UVLO故障。一个1μF 100V X7R
,
电容放在靠近V
EE
销推荐
最大限度地减少虚假复位。
隔离串行总线
该LTC4274包括一个分裂SDA引脚（ SDAIN和SDAOUT ）
为缓解光电隔离的双向SDA线。
IEEE 802.3以太网规范要求的网络
段（包括PoE电路）是电气隔离
从每个网络接口装置的机壳接地。
然而，不要求网络节段被隔离
PSE电流（A）
SO
A
m
75
802.3af标准FOLDBACK
图16.负LDO至DGND
LTC427
sA
T
90
°C
4折
AT 1.17 BACK
A
L3
100μH
美达CDRH5D28-101NC
R51
4.7k
1%
R53
4.7k
1%
5
V
CC
1
R58
10Ω
R54
56k
C79
2200pF
ITH / RUN
NGATE
6
C75
10μF
16V
D28
B1100
C74
100μF
6.3V
L4
10μH
美达CDRH4D28-100NC
3.3V ，电流可达400mA
R52
3.32k
1%
C73
10μF
6.3V
C76
10μF
63V
C77
0.22μF
100V
+
C78
0.22μF
100V
Q13
FMMT723
Q15
FDC2512
R55
806Ω
1%
R56
47.5k
1%
Q14
FMMT723
LTC3803
3
V
FB
GND
2
SENSE
4
R57
1k
R59
0.100Ω
1%, 1W
4274 F17
R60
10Ω
V
EE
图17.正V
DD
升压转换器
4274fa
23
