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LTC4274
应用信息
电流达到浪涌电流限制水平(通常为
450毫安) ,此时,GATE引脚将servoed到
保持规定的我
侵入
电流。在此冲击
期间,一个计时器(叔
开始
)运行。当输出充电
完成后,该端口的电流会下降, GATE引脚将
被允许继续上升到全面提升MOSFET
并尽量减少其导通电阻。最后的V
GS
名义上是
13V 。如果T
开始
定时器浪涌期间届满前,
完成后,该端口将被关断背,并在
开始
故障报告。
电流限制
每个LTC4274端口包括两个电流限制阈值
(I
LIM
),每一个相应的定时器(叔
和T
LIM
) 。设置我
LIM
阈值取决于
几个因素:类PD的,的电压
主电源(V
EE
) ,PSE的类型( 1或2) ,所述感
电阻( 0.5Ω或0.25Ω ) , MOSFET的SOA中,与
实现类的系统是否需要
执法。
根据IEEE规范中, LTC4274将允许端口电流
租金超过我
的时间之前在有限的时间
从港口卸下电源,而将积极
控制MOSFET栅极驱动器,以保持端口电流
下面我
LIM
。该端口不采取任何行动限制
当前时只有I
超过阈值,但
不启动的T
定时器。经t
LIM
定时器启动时
I
LIM
超过阈值时,电流限制是激活的。如果
在电流低于我
之前,电流阈值
它的定时器超时后,吨
定时器计数回落,但
在1/16 ,它向上计数的速率。这允许电流
限制电路承受间歇过载信号
低于约6%的占空比;较长的工作周期过载
将关闭该端口关闭。
I
通常被设置为一个较低的值比我
LIM
以允许
端口容忍瑕疵没有电流限制。
根据IEEE规范中, LTC4274将自动
我集
LIM
以425毫安期间─(以粗体显示在表5 )
赶在端口接通,然后再切换到编程
I
LIM
一旦设置浪涌完成。为了保持IEEE
合规性,我
LIM
应保持在425毫安所有类型1的PD ,
和850毫安如果检测到第二类型的PD 。我
LIM
自动
重置425毫安当一个端口关闭。
表5.示例电流限制设置
内部寄存器的设置(十六进制)
I
LIM
(MA )
53
106
159
213
266
319
372
425
478
531
584
638
744
850
956
1063
1169
1275
1488
1700
1913
2125
2338
2550
2975
R
SENSE
= 0.5Ω
88
08
89
80
8A
09
8B
00
8E
92
CB
10
D2
40
4A
50
5A
60
52
90
9A
C0
CA
D0
DA
E0
49
40
4A
50
5A
60
52
8A
80
89
08
88
R
SENSE
= 0.25Ω
I
LIM
折返
该LTC4274有两个阶段折返电路
减少端口电流,如果端口电压低于
在正常的工作电压。这样可以使功率MOSFET
耗散在安全水平为典型的802.3af标准的MOSFET ,
4274fa
20

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