LTC4354
应用信息
系统电源故障
LTC4354自动提供负载电流从
制度供给与更多的负输入端的潜力。如果
该电源被短路到返回侧，有较大的反向
从它的导通晶体管的电流流动。当此相反
的电压降两端的漏电流产生-140mV
和传输晶体管的源极引脚， LTC4354驱动器
低栅快速将其关闭。
其余的系统电源将提供负载
电流通过它的传输晶体管的体二极管，直到
通道打开。 LTC4354的斜门和
导通的N沟道MOSFET ，以减小电压降
通过它，这个过程只需要不到1毫秒视
上MOSFET的栅极电荷。
漏电阻
两个电阻器是需要保护的DA和DB销
瞬态电压高于80V 。在该情况下
当与低电位的电源被短路到
返回侧由于供应失败，反向电流流过
简要地，通过导通晶体管的其他供应
放电的输出电容器。该电流储存能量
沿着电流路径的杂散电感。一旦
通晶体管截止时，该能量将强制排水
在FET高的终端，直到达到击穿
电压。如果该电压高于80V时，内部
–48V_RTN
R
IN
12k
0.5W
3
V
CC
LTC4354
DA
1
R1
2k
V
A
V
B
DB
8
R2
2k
M1
IRF3710S
M2
IRF3710S
GA
4
GB
6
故障
V
SS
2, 5
C
IN
1F
4354 F02
在DA和DB引脚的ESD器件可能打破
和损坏。外部漏电阻的限制
当前进销和保护的ESD器件。一
2K的电阻被推荐用于48V的应用程序。较大
电阻值增加了源漏感的阈值
电压由于在漏极引脚的输入电流。
环路稳定性
伺服回路是由寄生电容补偿
的功率N沟道MOSFET 。没有进一步的补偿
组件通常需要。在该情况下，当一个
MOSFET，具有非常小的寄生电容被选择，
一个1000pF的补偿电容器两端的连接
栅极和源极引脚可能是必需的。
设计实例
下面演示所涉及的计算
在-36V选择组件-72V系统， 5A
最大负载电流，见图2 。
首先，选择输入降压电阻。该电阻应
允许电流2毫安与在-36V电源。
R
IN
≤
(36V
11.5V)
=
12.25k
2mA
最近的低5 ％，值是12K 。
TO
模块
输入
R3
33k
7
D1
LED
图2： -36V到-72V / 5A设计实例
4354fc
8
