LTC4354
应用信息
输入电源
该设备的电源从-48_RTN衍生
通过外部的限流电阻（R
IN
） 。一
内部并联稳压器夹在V的电压
CC
销到
11V 。一个1μF的去耦电容， V
SS
值得推荐。
它也提供了一种软启动器的部分。
R
IN
应选择以容纳最大
在预期的输入供电为2mA电流要求
的工作电压。
R
IN
≤
(V
IN（分钟）
V
Z（ MAX ）
)
I
CC（ MAX）的
的LTC4354尝试伺服跨越的电压降
MOSFET至30mV在向前的方向，通过控制
的栅极电压，并发出一个故障信号时，所述
电压降超过260mV的故障阈值。该
R
DS （ ON）
应足够小，以进行最大
负载电流，同时不会引发故障，并留在
MOSFET的额定功率在最大负载电流
(I
2
R
DS （ ON）
).
故障条件
LTC4354监视故障状态，并接通一发光二极管
或光耦合器来指示故障。当电压降
调整管两端的大于260mV故障高
阈值时，在FAULT引脚内部下拉关闭
并允许电流流过LED或光耦
耦合器。条件引起的高电压在整个通
晶体管包括：短路负载电路，过大
负载电流，开路FET导通电流，同时，和场效应管
短与较高的电源电压的通道。该
故障阈值由内部设定为260mV 。
在场效应晶体管的情况下与多通道上的开
负电源电压，如果电压差是高
够了，对DA或DB引脚衬底二极管将
正向偏压。流出的是引脚的电流必须
被限制到一个安全水平（ <1毫安），以防止设备闩
了。肖特基二极管可以用来夹紧处的电压
该DA和DB的引脚，如图1 。
电阻器的功耗，计算在
最大直流输入电压：
P
=
(V
IN （MAX）
V
CC（分钟）
)
2
R
IN
如果功率消耗太高单个电阻器，
使用多个低功率电阻器串联，而不是一个
单个高功率组件。
MOSFET选择
该LTC4354驱动N沟道MOSFET，以进行
负载电流。 MOSFET的重要特征是
上阻抗R
DS （ ON）
时，最大漏源电压
V
DSS
和阈值电压。
为MOSFET的栅极驱动器被保证是更
低于10V ，小于12V 。这允许使用标准
阈值电压的N沟道MOSFET 。外部稳压
二极管可以用来夹住电势在V
CC
针
到低至4.5V ，如果栅 - 源额定击穿
电压小于12V 。
所允许的最大漏源电压V
（ BR ） DSS ，
必须比电源电压更高。如果输入
短路时，在满电源电压将出现跨越
的MOSFET。
LTC4354
DA
1k
GA
MMBD2836LT1
V
SS
1k
4354 F01
从保护DA和DB引脚图1.方法
负输入。一个频道上播放
4354fc
7
