LTC3703
应用信息
术语（1+
δ)
在MOSFET的一般定
归一化的R形
DS （ ON）
与温度的曲线，并
0.005 / ° C至0.01 /°C，根据通常各不相同
具体的MOSFET使用。
多个MOSFET可以并联以降低R上使用
DS （ ON）
并满足当前和散热要求如果需要的话。
该LTC3703包含能够大量的低阻抗驱动器
驱动大栅极电容不显著
放缓的过渡时间。事实上，驾驶时的MOSFET
具有非常低的栅极电荷，有时是非常有用减缓
顺着司机加入小栅极电阻（ 5Ω或更小）
以降低噪声和电磁干扰引起的快速转换。
肖特基二极管的选择
肖特基二极管D1在图1所示过程中进行
电源的导通之间的死区时间的MOSFET导
场效应管。这防止了下面的MOSFET的体二极管
在死区时间打开和存储电荷
并要求反向恢复时间可能花费
高达1 ％至2％的效率。为1A肖特基二极管
一般为3A至5A监管好尺寸。较大
二极管导致由于其较大的junc-额外损失
化电容。该二极管可以，如果效率可以省略
损失是可以容忍的。
输入电容的选择
在连续模式中，高端MOSFET的漏极电流
大约是一个方波的占空比V
OUT
/V
IN
必须由输入电容器来提供。为了防止
大的输入瞬变，低ESR的输入电容的大小
RMS电流的最大值由下式给出：
V
V
I
CIN （ RMS ）
I
O（ MAX） OUT
IN
– 1
V
IN
V
OUT
1/2
TURE不是必需的。几个电容器也可以放置在
平行于满足设计尺寸和高度的要求。
由于钽电容和OS- CON电容不可用
在电压高于30V时，监管机构与输入电源
高于30V ，选择输入电容式仅限于
陶瓷或铝电解电容。陶瓷电容器
ESR非常低的优势，能够处理高
RMS电流，但陶瓷具有高额定电压
（ >50V ）中不具备以上几个微法
电容。此外，陶瓷具有高电压
系数，这意味着电容值
在额定电压下使用时减少得更多。 X5R
并建议X7R型陶瓷的低
电压和温度系数。另一种考虑 -
使用时，陶瓷值，我们的高Q如果不能
适当地衰减，可能会导致过大的电压应力
在功率MOSFET。铝电解有多大
高容量电容，但是，他们有较高的ESR
和较低的RMS电流额定值。
一个好的方法是使用铝组合
电解电容的大容量电容和陶瓷的低ESR
和电流有效值。如果RMS电流不能被处理
单独由铝电容器一起使用时，
RMS电流的将由供给的百分比
铝电容被减少到大约：
% I
RMS ，明矾
≈
1
1+(8fCR
ESR
)
2
100%
其中R
ESR
是铝电容器和C的ESR
是的陶瓷电容器的总电容。运用
铝电解用陶瓷也有助于湿
高Q陶瓷，最大限度地减少振铃。
输出电容的选择
C的选择
OUT
主要是由ESR测定
需要最小化电压纹波。输出纹波
(V
OUT
）近似等于：
1
V
OUT
≤ I
L
ESR +
8fC
OUT
该式具有最大值在V
IN
= 2V
OUT
，在那里我
RMS
=
I
O（最大值）
/ 2 。这个简单的最坏情况是常见的
用于设计，因为即使是显著的偏差不
提供多少援助。请注意，从额定纹波电流
电容器制造商往往只基于2000
小时的寿命。这使得它建议进一步减免了
电容还是要选择额定在更高温度的电容器
3703fc
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