LTC3703
应用信息
分类规范。由于许多高电压MOSFET导
FET具有更高的阈值电压（典型地，V
GS （ MIN ）
≥ 6V ）时， LTC3703被设计成与一个9V至使用
15V栅极驱动电源（ DRV
CC
针） 。
为了获得最大的效率，导通电阻R
DS （ ON）
和输入
电容应尽量减少。低R
DS （ ON）
最小化
导通损耗和低输入电容最小化
转换损耗。 MOSFET的输入电容是一个combi-
几个部分组成，但是国家可以采取从
典型的“栅极电荷”曲线包括在大多数数据表
（图9） 。
V
IN
V
GS
米勒效应
a
Q
IN
C
磨坊主
= (Q
B
– Q
A
)/V
DS
b
V
GS
V
当控制器在连续模式中操作的
工作循环的顶部和底部MOSFET是由下式给出：
主开关管的占空比
=
V
OUT
V
IN
V
IN
– V
OUT
V
IN
同步开关的占空比
=
功耗为主体和同步
MOSFET的最大输出电流由下式给出：
P
主
=
V
OUT
(
I
最大
)
2
(1+
δ)R
DS （ ON）
+
V
IN
+
–
+
V
DS
–
3703 F09
图9.栅极电荷特性
该曲线是通过强制的恒定输入而产生电流
租入一个共同的源栅，电流源
装载阶段，然后绘制栅极电压相对于
时间。初始斜率是栅极到源极的作用
和栅 - 漏电容。的平坦部
曲线的密勒倍增效应的结果
漏 - 栅电容的漏滴的电压
横跨电流源负载。上面的斜线是
由于漏 - 栅电容累积和
栅极 - 源极电容。米勒电荷（在
在横轴上增加以库仑从a到b
而曲线是平的）被指定为给定的V
DS
漏
电压，但可以调整为不同的V
DS
通过电压
由应用程序Ⅴ的比乘以
DS
到曲线
特定网络版V
DS
值。一种方法来估计了C
磨坊主
TERM
是采取从点a和b中的栅极电荷的变化
在制造商的数据表，然后除以规定的
V
DS
电压特定网络版。
磨坊主
是最重要的SE-
经文准则决定过渡损耗项中
高端MOSFET ，但并不直接作用于MOSFET的指定
数据表。
RSS
和C
OS
在特定网络版，但有时
不包括这些参数的去音响nitions 。
2
I
V
在MAX
(R
DR
)(C
磨坊主
)
2
1
1
+
(f)
V
CC
– V
TH （ IL ）
V
TH （ IL ）
V
V
P
SYNC
=
IN OUT
(I
最大
)
2
(1+
δ)R
DS(0N)
V
IN
哪里
δ
为R的温度依赖性
DS （ ON）
, R
DR
为有效顶部驱动电阻（大约在2Ω
V
GS
= V
磨坊主
), V
IN
是漏极电位和变化
在漏极电位在特定的应用。 V
TH （ IL ）
is
数据表特定网络版的典型栅极阈值电压
在特定网络编辑特定网络版，在功率MOSFET的数据表
漏极电流。
磨坊主
是使用计算出的电容
从MOSFET的数据表中的栅极电荷曲线
上面描述的技术。
两个MOSFET有我
2
损失，而上部N沟道
公式包含一个附加的术语转换损耗，
该峰在最高输入电压。对于V
IN
< 25V ，
大电流EF网络效率普遍提高较大
的MOSFET ，而对于V
IN
> 25V时，转换损耗迅速
增加的点，使用了更高的R
DS （ ON）
设备
低
磨坊主
实际上提供了更高的效率。该
同步MOSFET的损耗是最大的，在高输入
电压时的顶开关占空因数低或中
当同步开关关闭时短路
于周期的100％。
3703fc
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