LTC1760
应用信息
的铝电解了相对较高的ESR
C15 ，位于AC适配器输入端，是有帮助的
在热插拔事件期间减少振铃。请参阅
AN88以获取更多信息。
尽可能高的电压等级上的电容将
减少问题的产生。请咨询前，制造商
使用。备选方案包括新的高容量陶瓷（在
至少20μF ）从东金，美贵弥功/马尔孔，等。
其他可替代电容包括OSCON电容
三洋。
输出电容（C
OUT
）还假定以吸收
输出开关电流纹波。对于上述通式
电容器的电流是：
0.29 (V
BAT
) 1 –
I
RMS
=
例如：
V
DCIN
= 19V, V
BAT
= 12.6V ， L1 = 10μH ，并
F = 300kHz的，我
RMS
= 0.41A.
电磁干扰的考虑，通常使其期望最小化
纹波电流在电池引线和珠或电感器
可加入以提高电池的阻抗在300kHz的
开关频率。开关纹波电流分裂BE-
吐温电池和输出电容器视
输出电容器的ESR和电池的阻抗。
如果C的ESR
OUT
是0.2Ω ，电池阻抗是
升温至4Ω用珠或电感器，所述电流仅为5％
纹波会流于电池。
PowerPath和充电MUX MOSFET选择
三对P沟道MOSFET必须与使用
墙上适配器和两个电池的放电路径。两
对N沟道MOSFET必须与电池中使用
充电路径。标称栅极驱动电平被设定
夹紧其各自的控制电路的驱动电压。
这个电压通常是6.25V 。因此，逻辑电平
阈值的MOSFET必须使用。密切关注
在B
VDSS
规范了MOSFET的为好;许多
的逻辑电平的MOSFET被限制为30V或更少。
对功率MOSFET的选择标准包括“ON”的
电阻R
DS （ ON）
，输入电压和最大输出
(L1)(f)
电流。对于N型沟道的电荷路径中，最大电流
租金是要使用的最大编程电流。为
P沟道放电路径的最大电流通常
仅使用一个时，会发生在电池的寿命结束
电池。 R的上限
DS （ ON）
值的函数
该
实际
一个给定的MOSFET的功率耗散能力
包中必须考虑到的PCB布局。作为
出发点，不知道是什么的PCB散热
能力是，减免封装的功率等级
两个因素。
P
MOSFET
R
DS （ ON）最大值
=
2
2
(
I
最大
)
如果您使用的是双MOSFET封装两个MOSFET
在系列中，你必须削减封装额定功率的一半
再次重新计算。
P
MOSFETDUAL
R
DS （ ON）最大值
=
2
4
(
I
最大
)
如果您使用的MOSFET相同的两个电池的路径，
电压降将跟踪在很宽的电流范围。该
会不会出现LTC1760线性25mV的压降简历调控
直到电流降到下降：
25mV
I
LINEARMAX
=
2 R
DS （ ON）最大值
但是，如果您尝试使用上面的公式来确定
R
DS （ ON）
迫使线性模式在全电流时，MOSFET
R
DS （ ON）
值变为不合理的低的MOSFET
此时可用。需要的LTC1760电压
降调节只能进场并行电池
配置，终止充电或放电使用
电压。起初，这似乎是一个问题，但也有
几个因素帮助了：
1.当电池并联均流时，电流
通过任一电池出租流量小于如果它是
运行独立的。
2.充电恒压模式大多数电池，
如锂离子电池，充电终止时的电流值
的C / 10或更小是很好的线性操作范围内
范围内的MOSFET。
3.电压跟踪的放电过程中不
需要如此精确的电压跟踪值。
1760fa
(
V
BAT
V
DCIN
)
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