LTC1760
应用信息
CA1 。记住最大ΔI
L
出现在最大
输入电压。在实践中10μH是最低值recom-
谁料使用。
充电器开关电源MOSFET和二极管
选择
两个外部功率MOSFET必须选择与使用
的LTC1760充电器：一个N沟道MOSFET的顶
（主）开关和一个N沟道MOSFET的底部
（同步）开关。
的峰对峰的栅极驱动电平由在V设定
CC
电压
年龄。这个电压通常为5.2V 。因此，逻辑电平
阈值的MOSFET必须使用。密切关注
在B
VDSS
规范了MOSFET的为好;许多
的逻辑电平的MOSFET被限制为30V或更少。
对功率MOSFET的选择标准包括“ON”的
电阻R
DS （ ON）
，反向传输电容C
RSS
,
输入电压和最大输出电流。该LTC1760
充电器总是在连续模式下，以便在操作
工作循环的顶部和底部MOSFET是由下式给出：
主开关管的占空比= V
OUT
/V
IN
同步开关的占空比= （V
IN
– V
OUT
)/V
IN
该MOSFET的功耗最大输出
电流由下式给出：
P
主
= V
OUT
/V
IN
(I
最大
)
2
(1 +
δΔΤ)R
DS （ ON）
+ K （V
IN
)
2
(I
最大
)(C
RSS
)(f)
P
SYNC
= (V
IN
– V
OUT
)/V
IN
(I
最大
)
2
(1 +
δΔΤ)
R
DS （ ON）
哪里
δΔΤ
为R的温度依赖性
DS （ ON）
和k是常数反比于栅极驱动器
电流。两个MOSFET有我
2
损失，而上部
N沟道方程包括一个附加项为跃迁
灰的损失，这是最高的，在高输入电压。为
V
IN
< 20V高电流效率普遍提高
具有较大的MOSFET ，而对于V
IN
> 20V的转换
损失急剧增加的点，使用较高
R
DS （ ON）
器件具有较低的
RSS
实际上提供了更高的
效率。同步MOSFET的损耗great-
EST在高输入电压或短路时，在
占空比在这个开关是接近100％。期限
(1 +
δΔΤ)
为一个MOSFET中的一个的形式一般是给定
归一化
DS （ ON）
与温度的曲线，但
δ
= 0.005/°C
可以作为一种近似为低电压的MOSFET。
C
RSS
通常在MOSFET的特性指定。该
常数k = 1.7 ，可用于估计的贡献
在主开关耗散方程的两个术语。
如果LTC1760充电器处于低压差模式下运行
或具有高占空比大于85％ ，则该顶级
侧N沟道效率普遍提高具有较大
MOSFET。采用不对称的MOSFET可以实现成本
储蓄或EF网络效率收益。
肖特基二极管D1 ，在典型应用如图所示，
中的导通之间的死区时间进行
这两个功率MOSFET。这防止的体二极管
从接通和存储电荷的底部的MOSFET
在死区时间，这可能会花费高达1 ％
在效率。为1A肖特基通常是一个很好的规模
图4A稳压由于相对小的平均电流。
更大的二极管可能会导致额外的转换损耗
由于其较大的结电容。所述二极管可
如果效率损失是可以容忍被省略。
计算IC工作电流
本节说明如何使用所提供的值
电气特性表估算工作电流
租对于一个给定的应用程序。
总的IC工作电流通过时， DCIN交流是
现在和电池充电（我
DCIN_CHG
）由下式给出：
I
DCIN_CHG
= I
CH1
+ I
VCC2_AC1
+ I
SAFETY1
+ I
SAFETY2
+
I
VLIM
+ I
ILIM
+ I
SMB
+ I
SMB_BAT1
+ I
SMB_BAT2
+ I
SMBALERT
其中：
I
CH1
在被定义为“电气特性”。
I
VCC2_AC1
在被定义为“电气特性”。
I
SAFETYX
在当前用于测试电池的热敏电阻
连接到SAFETY1或安全2 。
热敏电阻是超范围：
I
SAFETYX
= 2/64 V
VCC2
/ （ RXB + R
谢谢
)
热敏电阻是COLD -RANGE ：
I
SAFETYX
= 4/64 V
VCC2
/ （ RXB + R
谢谢
)
1760fa
38
