RJM0603JSC
MOS1 ， MOS2 ， MOS3 （N通道）
典型的电容比。
漏源极电压
漏极至源极电压V
DS
(V)
10000
西塞
50
V
GS
40
V
DD
= 25 V
10 V
5V
初步
动态输入特性
栅极至源极电压V
GS
(V)
20
电容C （PF ）
16
1000
科斯
100
CRSS
TC = 25°C
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
10
0
10
20
30
40
30 V
DS
20
V
DD
= 25 V
10 V
5V
20
40
60
12
8
10
TC = 25°C
I
D
= 20 A
80
4
0
0
100
漏极至源极电压V
DS
(V)
栅极电荷Qg （ NC ）
反向漏电流 -
源极到漏极电压
重复性雪崩能量ê
AR
（兆焦耳）
20
雪崩能量 -
通道温度降额
50
40
30
20
10
0
25
I
AP
= 20 A
V
DD
= 25 V
值班< 0.1 ％
Rg
≥
50
Ω
反向漏电流I
DR
(A)
TC = 25°C
脉冲测试
16
12
8
10 V
4
V
GS
= 0 V,
5
V
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
50
75
100 125 150 175
源极到漏极电压V
SD
(V)
沟道温度Tch （ ° C）
雪崩测试电路
V
DS
MONITOR
L
I
AP
MONITOR
E
AR
=
雪崩波形
1
2
L
IAP2
V
DSS
V
DSS
– V
DD
V
（ BR ） DSS
Rg
D. U.牛逼
V
DD
I
AP
V
DS
VIN
15 V
50
Ω
I
D
0
V
DD
R07DS0339EJ0501 Rev.5.01
2011年7月22日
第11个5
