RJM0603JSC
初步
主要特点
MOS1 ， MOS2 ， MOS3 （N通道）
最高安全工作区
1000
TC = 25°C
1次脉冲
典型的输出特性
50
10 V
TC = 25°C
脉冲测试
漏电流I
D
(A)
漏电流I
D
(A)
100
10
40
5V
30
3.1 V
10
μ
s
10
1
s
0
μ
m
s
1
PW = 10毫秒
20
V
GS
= 2.8 V
手术
在这个区域
0.1
有限
DS （ ON）
直流操作
10
0.01
0.1
1
10
100
0
2
4
6
8
10
漏源极电压
V
DS
(V)
漏极至源极电压V
DS
(V)
静态漏极至源极通态电阻与
栅极至源极电压
100
脉冲测试
I
D
= 10 A
80
100
V
DS
= 10 V
脉冲测试
漏电流I
D
(A)
10
1
TC = 175℃
0.1
25°C
0.01
40°C
0.001
0
1
2
3
4
5
静态漏极至源极通态电阻
R
DS （ ON）
(mΩ)
典型的传输特性
60
40
TC = 175℃
20
25°C
40°C
0
4
8
12
16
20
栅极至源极电压V
GS
(V)
静态漏极至源极国导通电阻
与漏电流
100
TC = 25°C
脉冲测试
V
GS
= 4.5 V
栅极至源极电压V
GS
(V)
静态漏极至源极通态电阻
与温度的关系
50
脉冲测试
I
D
= 10 A
40
V
SG
= 4.5 V
静态漏极至源极通态电阻
R
DS （ ON）
(mΩ)
静态漏极至源极通态电阻
R
DS （ ON）
(mΩ)
30
10
10 V
20
10 V
10
0
50
1
1
10
100
0
50
100
150
200
漏电流I
D
(A)
壳温度（ ° C）
R07DS0339EJ0501 Rev.5.01
2011年7月22日
第11 4
