LM5035
应用信息
（续）
如果使用电流感应电阻器的方法，所述过电流
而本振驱动低侧条件将只被感测
MOSFET。过电流时，何正推动高端
MOSFET将不会被检测到。在该配置中，它会
取4倍，只要连续逐周期电流
限制以发起重新启动事件，因为每个过电流
LO在事件使22μA RES引脚电流源
一个振荡器周期，然后将缺乏过电流的
何事件期间使12μA RES引脚的灌电流为
一个振荡器周期。时间平均这种切换是
相当于一个连续5μA电流源到RES
电容器中，通过四个因素增加延迟。值
在RES的电容器可以减小以降低时间
前重启周期开始。
HO ， HB ， HS和LO
必须注意，为PC板布局
低侧驱动器和浮动高侧驱动销何，IIB
和HS 。低ESR / ESL电容（如陶瓷河畔
面对安装电容器）应连接紧密的
LM5035 ， HB和HS之间提供高峰值电流
在导通高边MOSFET的。电容器
应该足够大，以提供在MOSFET的栅极电荷
量（Qg ）不履行的地步，在门的下降
电压影响MOSFET
DS （ ON）
。值10到20
时代的Qg建议。
可编程延迟（ DLY ）
第r
DLY
电阻方案的SR1之间的延迟
SR2的信号和HO和LO驱动器输出。
图5
示出了这些输出之间的关系。该DLY引脚
名义上被设定为2.5V ，电流通过感测
R
DLY
到地面。该电流用于调节的量
HO和LO脉冲前（T1）和在HO后的死区时间
和LO脉冲（T2）。典型地，R
DLY
是在为10kΩ到范围
100kΩ的。死区时间期间可以用计算
下面的公式：
T1 = [R
DLY
X 2.8ps ] + 20ns的
T2 = [R
DLY
X 1.35ps ] +为6ns
T1和T2可以通过不连接被设置为最小
电阻DLY ，连接一个电阻大于300kΩ精
从DLY接地或连接DLY到REF引脚。这
可能会导致非最佳的系统效率，如果延迟低
通过将SR信号变压器网络，二次
栅极驱动器和同步整流MOSFET大于
延迟开启的HO或LO的MOSFET。如果一个SR
MOSFET留在，而反对的主要是MOSFET
通过电源变压器供电，所述第二代
ARY绕组将经历一个短暂的短路， caus-
荷兰国际集团一个显著的功率损耗发生。
当选择第r
DLY
值，最坏的情况下传播
延迟和元件容差，应考虑到
保证从未有一个时间，其中两个SR MOSFET的
使能与初级侧的MOSFET中的一个是
启用。时间周期T1应被设置，以便在SR
MOSFET具有关断主MOSFET的前
启用。相反， T1和T2应保持低至
公差允许以优化效率。在SR体二极管
在当时进行的SR MOSFET关断
与电源变压器开始提供能量。动力
损耗增加时，这种情况由于体二极管
压降比MOSFET的信高出许多倍
NEL的电压降。体二极管导通的时间间隔可以
可以用示波器观察为负0.7V至1.5V的
脉冲的SR MOSFET的漏极。
UVLO和OVP分压器选型
R1，R2和R3的
连接到UVLO两个专用比较器和
OVP引脚用于欠压和过压检测
条件。这些比较器的阈值，V
UVLO
和V
OVP
是1.25V （典型值） 。这两个功能都可以
与两个电压分压器独立编程
VIN至AGND如图
图10
和
图11中的
或具有
三电阻分压器中所示
图12 。
独立
欠压和过压保护引脚为用户提供更大的灵活性
选择系统的操作电压范围。 Hyster-
ESIS由23μA电流源来实现（我
UVLO
和
I
OVP
） ，这是开启或关闭进入检测引脚电阻
分频器的比较改变状态。
当UVLO引脚电压低于0.4V时，控制器处于
低电流关断模式。对于UVLO引脚电压
高于0.4V，但低于1.25V时，控制器处于
待机模式。当UVLO引脚电压大于
1.25V时，控制器完全启用。两个外部电阻器
可用于编程的最小操作电压为
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二极管（D
BOOST
）的C充电
BOOST
从VCC时
低边MOSFET导通应该能够
承受全变换器的输入电压范围。当
高边MOSFET导通，在反向电压
二极管是大致相同的MOSFET的漏
电压，因为高侧驱动器被提升到
转换器的输入电压由HS引脚，偏高
MOSFET栅极驱动给HS电压加上VCC。自
D的阳极
BOOST
被连接到VCC时，反向
二极管两端的电势等于输入电压减去
VCC电压。
BOOST
平均电流小于20mA
在大多数应用中，这样一种低电流超快恢复
二极管，建议限制的损失，由于二极管的结
电容。肖特基二极管也是一个可行的选择，标准杆
ticularly为较低的输入电压的应用，但注意
必须支付给漏电流在高温下。
内部栅极驱动器需要一个非常低阻抗路径
相应的去耦电容; Vcc电容为
LO驱动器和C
BOOST
对于何司机。这些连接
应尽可能的短，以减少电感和作为
宽尽可能地减少阻力。环路面积，去
由栅极连接和其相应的返回路径被罚款，
应该被最小化。
高边栅极驱动器还可以与HS使用CON-
连接至PGND应用比半桥其他
转换器（例如，推挽式） 。 HB引脚，然后连接到
VCC时，或任何供给大于高边驱动器欠
欠压锁定（约6.5V ） 。此外，高
侧驱动器可用于高电压脱机配置应用程序
其中高侧MOSFET的栅极通过一个驱动阳离子
栅极驱动变压器。
