LM5035
栅极驱动器输出（HO & LO ）
（续）
20177521
图5. HO ， LO ， SR1和SR2时序图
同步整流控制
输出（ SR1 & SR2 ）
变压器的次级同步整流（ SR ）
提供了更高的效率，特别是对低输出电压
转换器。的整流器的正向电压降的减少
（ 0.5V - 1.5V ）来为10mV - 200mV的V
DS
电压的MOSFET
显著降低整流损耗。在一个典型的应用
化，变压器次级绕组中心抽头，
与同系列的中心抽头输出功率电感器。
在SR MOSFET提供接地通路通电
次级绕组和电感器电流。
图5
节目
该SR2 MOSFET导通，而何使
从主功率传输。在SR1 MOSFET必须是
在此期间禁用，因为在次级绕组
连接到SR1 MOSFET漏极是的电压的两倍
中心抽头。在何脉冲结束时，该电感
器电流继续流过SR1 MOSFET的体
二极管。由于体二极管导致比SR更损失
MOSFET的效率可以通过最小化T2的改进
期间，同时保持对所有足够的定时余量
条件（组分公差等），以防止拍摄开启
通过电流。当LO能够从功率传输
小学时， SR1 MOSFET开启和SR2 MOSFET
是关闭的。
期间的时间，无论是何也不LO为活动状态时，电感器
电流既SR1和SR2的MOSFET之间共享
这有效地短路变压器次级和易拉罐
的CEL中的绕组的电感。该SR2 MOSFET是
禁用前LO电力输送到二次，以预
发泄功率被分流到地面。在SR2 MOSFET
体二极管继续进行大约一半的电感器电流
直到主功率提高了SR2 MOSFET的漏极电压
年龄和反向偏压的体二极管。理想情况下，死区时间
T1将被设置为最小的时间，允许在SR
MOSFET的SR MOSFET的体二极管之前关闭
开始导通。
在SR1和SR2的输出直接由VCC供电
调节器。每路输出可以采购和下沉
0.5A峰值。典型地， SR1和SR2的信号控制的SR
通过脉冲变压器的MOSFET栅极驱动器。在AC-
图阿尔门源出和吸收电流由提供
二次侧偏置电源和栅极驱动器。
SR1和SR2的相对于HO和LO的定时是
所示
图5中。
SR1配置的相位与HO
和SR2配置的相位差LO 。死区时间
跃迁之间是可编程由电阻CON-
连接的从DLY引脚到AGND引脚。通常情况下，R
DLY
is
在为10kΩ到100kΩ的范围内设定。死区时间周期
可以使用以下公式来计算：
T1 = [R
DLY
X 2.8ps ] + 20ns的
T2 = [R
DLY
X 1.35ps ] +为6ns
要设置最小（仅传播延迟）死区时间时，
DLY引脚应悬空或连接到REF引脚。
任何电阻值大于300kΩ精相连的DLY之间
引脚和AGND也将提供最短期限（ AP-
近因5纳秒） 。
热保护
内部热关断电路提供保护
集成电路中的事件的最大额定结
温度被超过。当被激活时，通常在
165℃时，控制器被迫进入低功耗待机状态
与输出驱动器（HO ，LO， SR1和SR2 ） ，偏置
稳压器（ VCC和REF ）禁用。这有助于防止
灾难性故障意外器件过热。
在热关断，软启动电容完全
排出，所述控制器如下一个正常的启动SE-
后的结温quence下降到操作
级（ 145℃ ） 。
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