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KAD5612P
时序图
样品N
INP
INP
样品N
客栈
t
A
CLKN
CLKP
t
CPD
CLKOUTN
CLKOUTP
t
DC
D [ 11：0 ] p
D [ 11：0 ] n的
t
PD
A数据
N-L
B数据
N-L
A数据
N-L + 1个
B数据
N-L + 1个
A数据
N-L + 2
B数据
N-L + 2
A数据
N
客栈
t
A
CLKN
CLKP
延迟= L循环
t
CPD
CLKOUT
t
DC
t
PD
D[11:0]
A数据
N-L
B数据
N-L
A数据
N-L + 1个
B数据
N-L + 1个
A数据
N-L + 2
B数据
N-L + 2
A数据
N
延迟= L循环
图1 LVDS时序图， DDR （请参见“数字
第17页的输出“ ）
图2： CMOS时序图- DDR （ “数字
第17页的输出“ ）
交换特定网络阳离子
参数
ADC
孔径延迟
RMS孔径抖动
输出时钟到数据传输延迟，
LVDS模式（注8 ）
输出时钟到数据传输延迟，
CMOS模式（注8 ）
潜伏期（流水线延迟）
过压恢复
SPI接口（注9 ， 10 ）
SCLK周期
写操作
读操作
SCLK占空比（T
HI
/t
CLK
或T
LO
/t
CLK
)
CSB ↓键↑ SCLK建立时间
后SCLK ↑保持时间CSB ↑
数据有效到SCLK ↑建立时间
数据有效后SCLK ↑保持时间
数据有效后SCLK ↓时间
经过数据无效SCLK ↑时间
睡眠模式CSB ↓到SCLK ↑建立时间
（注11 ）
注意事项：
7.三电平输入内部开关阈值约为0.43V和1.34V 。这是应浮动输入，配合以地面或AVDD
取决于所需的功能。
8.输入时钟到输出时钟延迟的采样速率的函数，使用该输出时钟来锁存数据简化数据捕获为最
应用程序。如果需要了解更多信息请联系工厂。
9. SPI接口定时成正比吨
S,
ADC的采样周期（为4ns ，在250Msps的）
10. SPI可相对于ADC的采样时钟异步运行。
11. CSB建立时间增加睡眠模式，由于节能状态，在打盹模式CSB建立时间等于正常模式CSB设置
时间（为4ns分钟250Msps的） 。
读或写
读或写
读或写
写
写
读
读
读或写在睡眠模式
t
S
t
H
t
DSW
t
DHW
t
DVR
t
DHR
t
S
3
150
t
CLK
条件
符号
民
典型值
最大
单位
t
A
j
A
上升沿
下降沿
上升沿
下降沿
t
DC
t
DC
t
DC
t
DC
L
t
OVR
16
66
25
1
3
1
3
-260
-160
-220
-310
375
60
-50
10
-10
-90
7.5
1
120
230
200
110
ps
fs
ps
ps
ps
ps
周期
周期
周期
（注9 ）
周期
50
75
%
周期
周期
周期
周期
16.5
周期
周期
s
t
CLK
7
FN6803.2
2009年9月9日
